Extraction et insertion de mots binaires

    公开(公告)号:FR3101981B1

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:FR1911349

    申请日:2019-10-11

    Abstract: Extraction et insertion de mots binaires La présente description concerne un procédé de traitement de données binaires masquées, mis en oeuvre par un dispositif adapté à effectuer des calculs sur des données binaires (10), comprenant une opération d'extraction et d'insertion d'une première partie (B1_M) d'une première donnée binaire masquée (B_M) dans une deuxième donnée binaire masquée (Z_M), dans laquelle les première et deuxième données binaires masquées restent masquées pendant tout le traitement. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    Extraction et insertion de mots binaires

    公开(公告)号:FR3101981A1

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:FR1911349

    申请日:2019-10-11

    Abstract: Extraction et insertion de mots binaires La présente description concerne un procédé de traitement de données binaires masquées, mis en oeuvre par un dispositif adapté à effectuer des calculs sur des données binaires (10), comprenant une opération d'extraction et d'insertion d'une première partie (B1_M) d'une première donnée binaire masquée (B_M) dans une deuxième donnée binaire masquée (Z_M), dans laquelle les première et deuxième données binaires masquées restent masquées pendant tout le traitement. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    Dispositif et procédé de décalage de niveau

    公开(公告)号:FR3113796A1

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:FR2008826

    申请日:2020-08-31

    Abstract: Dispositif et procédé de décalage de niveau La présente description concerne un procédé de fourniture d'un niveau de potentiel de sortie parmi deux premiers niveaux en fonction d'un niveau d'entrée parmi deux deuxièmes niveaux, comprenant : la fourniture du niveau de sortie par un premier nœud (210) connectant entre eux des premier (201) et deuxième (202) transistors électriquement en série entre deux deuxièmes nœuds (VGH, VGL) d'application des premiers niveaux ; la fourniture, par un premier générateur de tension (230) alimenté par l'un des deuxièmes nœuds (VGH), d'une première tension continue (V1) définissant une limite haute de tension de commande du premier transistor ; et la fourniture, par un deuxième générateur (240) de tension commandé par une valeur représentative de la première tension et alimenté entre les deuxièmes nœuds, d'une deuxième tension continue (V2) définissant une limite haute de tension de commande du deuxième transistor. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

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