公开(公告)号：FR3146231B1

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：FR2301691

申请日：2023-02-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： VALENCIA RISSETTO LEONARDO ,  RAZAFINDRAIBE ALIN ,  LECOQ XAVIER ,  FOREL CHRISTOPHE

IPC: G11C11/00 ,  G06F7/00

Abstract: Dispositif et procédé de calcul en mémoire La présente description concerne un dispositif (2) comprenant des cellules mémoires (C'1) comprenant chacune une entrée de commande recevant une tension (V1_pwm) modulée en largeur d'impulsion et une sortie fournissant un courant (I1_pwm) dépendant de la tension de commande et d'un poids programmé dans la cellule. Un noeud (200) reçoit, pendant une première durée, les courants (I1_pwm) de plusieurs cellules (C'1). Un premier circuit (INT/ADC) fournit une sortie (V_n) déterminée par une quantité totale de courant (IS_pwm) reçue par ce noeud pendant la première durée. Pour chaque cellule de la pluralité de cellules (C'1), un deuxième circuit (PWM1) reçoit un mot numérique (V1_n) et fournit, pendant la première durée, la tension de commande (w1_pwm) de la cellule à un premier niveau uniquement pendant une deuxième durée déterminée par le mot numérique. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3148861A1

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：FR2304986

申请日：2023-05-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： LECOQ XAVIER ,  RAZAFINDRAIBE ALIN ,  FOREL CHRISTOPHE

IPC: G11C11/00 ,  G11C7/00 ,  G11C13/00 ,  G11C16/00 ,  H01L21/00 ,  H10B63/10 ,  H10N70/00

Abstract: Une cellule-mémoire à changement de phase à lire (CEL) est associée à une cellule-mémoire de référence à changement de phase (CELR) placée dans un état initialisé, la cellule-mémoire de référence étant placée à côté de la cellule-mémoire et ayant une structure identique à celle de la cellule-mémoire. On applique une première tension sur la cellule-mémoire et on fait délivrer un premier courant par la cellule-mémoire. On applique une deuxième tension sur la cellule-mémoire de référence et on fait délivrer un deuxième courant par la cellule-mémoire de référence. Un amplificateur de lecture (AMP) est couplé à la cellule-mémoire et à la cellule-mémoire de référence et est configuré pour délivrer une information représentative de la valeur logique de la donnée en fonction des valeurs respectives du premier courant et du deuxième courant. Figure pour l’abrégé : Fig 2