公开(公告)号：FR3146231B1

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：FR2301691

申请日：2023-02-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： VALENCIA RISSETTO LEONARDO ,  RAZAFINDRAIBE ALIN ,  LECOQ XAVIER ,  FOREL CHRISTOPHE

IPC: G11C11/00 ,  G06F7/00

Abstract: Dispositif et procédé de calcul en mémoire La présente description concerne un dispositif (2) comprenant des cellules mémoires (C'1) comprenant chacune une entrée de commande recevant une tension (V1_pwm) modulée en largeur d'impulsion et une sortie fournissant un courant (I1_pwm) dépendant de la tension de commande et d'un poids programmé dans la cellule. Un noeud (200) reçoit, pendant une première durée, les courants (I1_pwm) de plusieurs cellules (C'1). Un premier circuit (INT/ADC) fournit une sortie (V_n) déterminée par une quantité totale de courant (IS_pwm) reçue par ce noeud pendant la première durée. Pour chaque cellule de la pluralité de cellules (C'1), un deuxième circuit (PWM1) reçoit un mot numérique (V1_n) et fournit, pendant la première durée, la tension de commande (w1_pwm) de la cellule à un premier niveau uniquement pendant une deuxième durée déterminée par le mot numérique. Figure pour l'abrégé : Fig. 2