-
1.发明专利
公开(公告)号：FR3133704B1
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：FR2202260
申请日：2022-03-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： TAILLIET FRANÇOIS , WELTER LOIC , DUMITRESCU MARIA-PAZ , SIMOLA ROBERTO
IPC: H01L21/40
Abstract: Le circuit intégré comprend au moins un transistor (200, 400) comportant une structure de grille (STG) et une plaque de champ (FP) disjointes, disposées sur une face avant (FA) d’un substrat semiconducteur (PSUB), et une région de conduction dopée (D) dans le substrat semiconducteur située à l’aplomb d’un bord de la structure de grille (RG2brd) et à l’aplomb d’un bord de la plaque de champ (FPbrd1). Figure pour l’abrégé : Fig 2
Search Results
1
records
(took 0.02 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
