公开(公告)号：FR3133704B1

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：FR2202260

申请日：2022-03-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANÇOIS ,  WELTER LOIC ,  DUMITRESCU MARIA-PAZ ,  SIMOLA ROBERTO

IPC: H01L21/40

Abstract: Le circuit intégré comprend au moins un transistor (200, 400) comportant une structure de grille (STG) et une plaque de champ (FP) disjointes, disposées sur une face avant (FA) d’un substrat semiconducteur (PSUB), et une région de conduction dopée (D) dans le substrat semiconducteur située à l’aplomb d’un bord de la structure de grille (RG2brd) et à l’aplomb d’un bord de la plaque de champ (FPbrd1). Figure pour l’abrégé : Fig 2

公开(公告)号：FR3070498A1

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：FR1757921

申请日：2017-08-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： CALENZO PATRICK ,  COQUEL SYLVAIN ,  TERRIER JULIEN ,  WELTER LOIC

IPC: G01V9/00 ,  G01D5/00 ,  G01S15/04 ,  G01S17/06

Abstract: Procédé de détection de la présence ou de l'absence d'au moins un objet (9) dans un logement (8) comprenant : a) une première étape durant laquelle un capteur (6) du type temps de vol mesure une première scène tridimensionnelle (S0) à l'intérieur du logement (8) dépourvu d'objet ; b) une deuxième étape durant laquelle le capteur (6) du type temps de vol mesure une deuxième scène (S1) à l'intérieur du logement (8) ; c) une étape de comparaison durant laquelle on compare ladite première scène (SO) à la deuxième scène (S1); et d) une étape de détermination de la présence ou de l'absence de l'objet (9) dans ledit logement (8), à partir du résultat de ladite comparaison.