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    PROCEDE DE FABRICATION D'UN VIA DANS UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
    1.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION D'UN VIA DANS UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR 未知

    公开(公告)号：FR2923080A1

    公开(公告)日：2009-05-01

    申请号：FR0707526

    申请日：2007-10-26

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： DUNNE BRENDAN

    IPC: H01L21/768 ,  H01L23/498 ,  H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un via dans une plaquette de semi-conducteur (1"), comprenant les étapes consistant à pratiquer une tranchée (401) sur une face avant de la plaquette, la tranchée délimitant un périmètre fermé, remplir la tranchée avec un matériau diélectrique (402), amincir la plaquette par abrasion de sa face arrière, jusqu'à atteindre au moins le fond de la tranchée, et graver le semi-conducteur s'étendant à l'intérieur du périmètre fermé délimité par la tranchée, de manière à faire apparaitre une cavité (408) dont la paroi est revêtue par le matériau diélectrique (402).

    PROCEDE DE FABRICATION D'UN MICROMODULE DE CAPTURE D'IMAGES
    2.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION D'UN MICROMODULE DE CAPTURE D'IMAGES 未知

    公开(公告)号：FR2922682A1

    公开(公告)日：2009-04-24

    申请号：FR0707409

    申请日：2007-10-23

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  ST MICROELECTRONICS R&D LTD

    Inventor： DUNNE BRENDAN ,  CHANNON KEVIN ,  CHRISTISON ERIC ,  NICOL ROBERT

    IPC: H01L21/768 ,  H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un micromodule comprenant des étapes de : réalisation d'un circuit intégré (11a) sur une face active (11b) d'une microplaquette (11) en un matériau semi-conducteur, réalisation d'un via (14) traversant la microplaquette (11), relié électriquement au circuit intégré (11a), et insertion de la microplaquette dans un boîtier (2) comportant une cavité (30) et un élément électriquement conducteur (31), la face active de la microplaquette étant disposée vers le fond de la cavité, formation sur au moins une partie d'une face latérale de la microplaquette d'une couche latérale conductrice (16a, 19a) en un matériau électriquement conducteur, reliée électriquement à un élément conducteur (16b) de la face arrière (11c) de la microplaquette, et réalisation d'une connexion entre la couche latérale conductrice et l'élément conducteur (31), en déposant une matière électriquement conductrice dans la cavité (30). Application de l'invention aux imageurs CMOS.

    PROCEDE POUR EMPILER ET INTERCONNECTER DES CIRCUITS INTEGRES
    5.
    发明专利
    PROCEDE POUR EMPILER ET INTERCONNECTER DES CIRCUITS INTEGRES 未知

    公开(公告)号：FR2938970A1

    公开(公告)日：2010-05-28

    申请号：FR0806644

    申请日：2008-11-26

    Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： DUNNE BRENDAN

    IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

    Abstract: Des modes de réalisation de la présente invention concernent un procédé pour empiler et interconnecter des circuits intégrés, comprenant des étapes consistant à prévoir au moins deux substrats (10, 10', 10"), former dans chaque substrat au moins un circuit intégré (30, 30', 30") et au moins une zone conductrice (50, 51) connectée au circuit intégré, assembler les substrats puis pratiquer au moins un trou à travers les substrats assemblés de telle sorte que le trou passe au moins partiellement à travers les zones conductrices, et remplir le trou d'un matériau conducteur pour obtenir une colonne conductrice (81) qui est en contact électrique latéral avec les zones conductrices (50, 51).

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