公开(公告)号：FR2996680A1

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：FR1259659

申请日：2012-10-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  NIEL STEPHAN ,  REGNIER ARNAUD ,  GOASDUFF YOANN

IPC: H01L21/8239

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication sur un substrat semi-conducteur (WF, PW) d'une mémoire non volatile (MEM1), comprenant les étapes d'implantation dans la profondeur du substrat d'une première région dopée (NISO) formant une région de source de transistors de sélection (ST31, ST32), formation dans le substrat (PW), d'une grille enterrée (SGC) comprenant des parties profondes (G1) s'étendant entre une face supérieure du substrat et la première région dopée, implantation entre deux parties profondes adjacentes de la grille enterrée, d'une seconde région dopée (n4) formant une région de drain commune de transistors de sélection communs d'une paire de cellules mémoire, les transistors de sélection de la paire de cellules mémoire présentant ainsi des régions de canal s'étendant entre la première région dopée et la seconde région dopée, le long de faces en regard des deux parties profondes adjacentes de grille enterrée, et implantation le long de bords supérieurs opposés de la grille enterrée, de troisièmes régions dopées formant des régions de source de transistors à accumulation de charge.

公开(公告)号：FR3009430A1

公开(公告)日：2015-02-06

申请号：FR1357766

申请日：2013-08-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： GOASDUFF YOANN ,  MARZAKI ABDERREZAK

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/30 ,  H01L21/71 ,  H01L27/10 ,  H01L29/732

Abstract: Selon un mode de mise en œuvre, le procédé comprend a) une formation dans ledit au moins un élément (1) d'au moins un bloc en saillie (BLC), b) un recouvrement dudit au moins un bloc en saillie (BLC) par une première couche de recouvrement (2) de façon à former au-dessus du bloc en saillie (BLC) un monticule concave (20) auto-aligné avec ledit bloc en saillie et tournant sa concavité vers le bloc en saillie, c) une formation dans le monticule (20) d'une première tranchée (TRI) auto-alignée avec le monticule et le bloc en saillie jusqu'à atteindre le bloc en saillie, d) une gravure (GR2) du bloc en saillie (BLC) utilisant le monticule (20) et sa première tranchée (TRI) comme masque de gravure de façon à former une deuxième tranchée (TR2) dans ledit bloc en saillie auto-alignée avec la première tranchée (TRI) et e) au moins un retrait du reliquat de première couche de recouvrement (2), ledit motif (MTF) comportant ladite deuxième tranchée (TR2) ainsi que les parties non gravées (BLCa, BLCb) du bloc en saillie délimitant ladite deuxième tranchée (TR2).

公开(公告)号：FR2998417A1

公开(公告)日：2014-05-23

申请号：FR1260912

申请日：2012-11-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： MARZAKI ABDERREZAK ,  GOASDUFF YOANN ,  BIDAL VIRGINIE ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L21/302 ,  H01L27/02 ,  H01L29/92

Abstract: L'élément pointu (ELM) possède au moins une protubérance (DM) comportant dans sa partie supérieure une région pointue (RGP) limitant un cratère ouvert (CRT) et s'évasant depuis son extrémité pointue vers sa base en s'éloignant du centre du cratère (CRT).