公开(公告)号：FR2985854B1

公开(公告)日：2014-01-17

申请号：FR1250506

申请日：2012-01-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BOUTON GUILHEM ,  BIDAL VIRGINIE

IPC: H01L21/334 ,  G06F17/50

公开(公告)号：FR2998417A1

公开(公告)日：2014-05-23

申请号：FR1260912

申请日：2012-11-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： MARZAKI ABDERREZAK ,  GOASDUFF YOANN ,  BIDAL VIRGINIE ,  FORNARA PASCAL

IPC: H01L21/302 ,  H01L27/02 ,  H01L29/92

Abstract: L'élément pointu (ELM) possède au moins une protubérance (DM) comportant dans sa partie supérieure une région pointue (RGP) limitant un cratère ouvert (CRT) et s'évasant depuis son extrémité pointue vers sa base en s'éloignant du centre du cratère (CRT).

公开(公告)号：FR2985854A1

公开(公告)日：2013-07-19

申请号：FR1250506

申请日：2012-01-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BOUTON GUILHEM ,  BIDAL VIRGINIE

IPC: H01L21/334 ,  G06F17/50

Abstract: La réalisation technologique (23) du circuit intégré comprend une réalisation du circuit intégré dans une version technologique réduite d'une technologie native incluant au moins une première compensation dimensionnelle (230) appliquée à la longueur réduite de canal et à la largeur réduite de canal de chaque transistor (TMR) issu d'un transistor, dit « minimum » (TMN), conçu dans la technologie native et ayant dans cette technologie native une longueur initiale de canal égale à une longueur minimale pour ladite technologie native et une largeur initiale de canal égale à une largeur minimale pour ladite technologie native, de façon à obtenir in fine un transistor réalisé (TMRS) ayant une longueur de canal égale à une précision près à ladite longueur initiale de canal et une largeur de canal égale à une précision près à ladite largeur initiale de canal.

公开(公告)号：DE602006003605D1

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：DE602006003605

申请日：2006-09-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  UNIV D AIX MARSEILLE I

Inventor： BOUCHAKOUR RACHID ,  BIDAL VIRGINIE ,  CANDELIER PHILIPPE ,  FOURNEL RICHARD ,  GENDRIER PHILIPPE ,  LAFFONT ROMAIN ,  MASSON PASCAL ,  MIRABEL JEAN-MICHEL ,  REGNIER ARNAUD

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/788

Abstract: The memory point has a floating gate (103) placed above a P-type semiconductor substrate (100) and comprising a central portion (110) and end portions (111, 112) respectively insulated from the substrate by a thin insulating layer (102) and an insulating area (107). The central portion is by majority doped with P-type doping and the end portions comprise N-type doped zone constituting a part of a PN junction. The end portions form electron wells so that electrons injected into the gate are stored at level of the end portions.

公开(公告)号：FR2891398A1

公开(公告)日：2007-03-30

申请号：FR0552849

申请日：2005-09-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  UNIV D AIX MARSEILLE I

Inventor： BOUCHAKOUR RACHID ,  BIDAL VIRGINIE ,  CANDELIER PHILIPPE ,  FOURNEL RICHARD ,  GENDRIER PHILIPPE ,  LAFFONT ROMAIN ,  MASSON PASCAL ,  MIRABEL JEAN MICHEL ,  REGNIER ARNAUD

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: L'invention concerne un point mémoire non volatil incluant une grille flottante placée au-dessus d'un substrat semiconducteur, la grille flottante comprenant des portions actives isolées du substrat par des couches isolantes fines, et des portions inactives isolées du substrat par des couches isolantes épaisses non traversables par des électrons, les portions actives étant majoritairement dopées de type P et les portions inactives comprenant au moins une zone dopée de type N constituant une partie d'une jonction PN.