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公开(公告)号：FR3062236A1
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：FR1750540
申请日：2017-01-23
Inventor： BOIVIN PHILIPPE , RISTOIU DELIA
Abstract: L'invention concerne une barre de connexion (32) comprenant : une partie principale constituée d'une bande conductrice (34) s'étendant au-dessus de zones disjointes à interconnecter (16), la bande conductrice étant séparée de tout matériau conducteur par un matériau diélectrique, à l'exception des zones à interconnecter ; et des parties secondaires constituées de premiers plots conducteurs (36) traversant le matériau diélectrique, chacun de ces premiers plots s'étendant verticalement d'une zone à interconnecter (16) à la bande conductrice (34).
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公开(公告)号：FR3076658B1
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：FR1850068
申请日：2018-01-05
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： BAR PIERRE , LEVERD FRANCOIS , RISTOIU DELIA
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: L'invention concerne un procédé de gravure d'une cavité dans un empilement de couches, l'empilement comprenant une première couche (61) en un premier matériau et une seconde couche en un second matériau, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) former un premier masque de gravure ayant une première ouverture ; b) graver l'empilement et interrompre la gravure dans la seconde couche ; c) former un second masque (22) ayant une seconde ouverture, les dimensions de la seconde ouverture étant, en vue de dessus, inférieures à celles de la première ouverture, la seconde ouverture étant située, en vue de dessus, en regard de la zone gravée à l'étape b) ; et d) graver la seconde couche en regard de la seconde ouverture par un procédé de gravure apte à graver le second matériau de façon sélective par rapport au premier matériau, jusqu'à atteindre la première couche.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3091007A1
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：FR1873756
申请日：2018-12-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： GOURAUD PASCAL , RISTOIU DELIA
Abstract: Fabrication de cavités La présente description concerne un procédé de fabrication de cavités comprenant une étape de formation simultanée d'une première cavité (104) dans une première région (110) de semiconducteur massif et d'une deuxième cavité (102) dans une deuxième région de semiconducteur (114) sur isolant (112), les première et deuxième cavités comprenant un palier au niveau de la face supérieure de l'isolant (112). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号：FR3091007B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：FR1873756
申请日：2018-12-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： GOURAUD PASCAL , RISTOIU DELIA
Abstract: Fabrication de cavités La présente description concerne un procédé de fabrication de cavités comprenant une étape de formation simultanée d'une première cavité (104) dans une première région (110) de semiconducteur massif et d'une deuxième cavité (102) dans une deuxième région de semiconducteur (114) sur isolant (112), les première et deuxième cavités comprenant un palier au niveau de la face supérieure de l'isolant (112). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号：FR3091410A1
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：FR1874151
申请日：2018-12-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： RISTOIU DELIA , BAR PIERRE , LEVERD FRANÇOIS
IPC: H01L21/311 , G02B6/43
Abstract: Procédé de gravure La présente description concerne un procédé de formation d'une cavité (30) traversant un empilement (10) de couches (6, 8) incluant une couche inférieure (61) dont une première portion (24) présente localement une surépaisseur, le procédé comprenant une première étape de gravure non sélective et une deuxième étape de gravure sélective à l'aplomb de la première portion (24). Figure pour l'abrégé : Fig. 6
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公开(公告)号：FR3091410B1
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：FR1874151
申请日：2018-12-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： RISTOIU DELIA , BAR PIERRE , LEVERD FRANÇOIS
IPC: H01L21/311 , G02B6/43
Abstract: Procédé de gravure La présente description concerne un procédé de formation d'une cavité (30) traversant un empilement (10) de couches (6, 8) incluant une couche inférieure (61) dont une première portion (24) présente localement une surépaisseur, le procédé comprenant une première étape de gravure non sélective et une deuxième étape de gravure sélective à l'aplomb de la première portion (24). Figure pour l'abrégé : Fig. 6
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公开(公告)号：FR3076658A1
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：FR1850068
申请日：2018-01-05
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： BAR PIERRE , LEVERD FRANCOIS , RISTOIU DELIA
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: L'invention concerne un procédé de gravure d'une cavité dans un empilement de couches, l'empilement comprenant une première couche (61) en un premier matériau et une seconde couche en un second matériau, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) former un premier masque de gravure ayant une première ouverture ; b) graver l'empilement et interrompre la gravure dans la seconde couche ; c) former un second masque (22) ayant une seconde ouverture, les dimensions de la seconde ouverture étant, en vue de dessus, inférieures à celles de la première ouverture, la seconde ouverture étant située, en vue de dessus, en regard de la zone gravée à l'étape b) ; et d) graver la seconde couche en regard de la seconde ouverture par un procédé de gravure apte à graver le second matériau de façon sélective par rapport au premier matériau, jusqu'à atteindre la première couche.
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