公开(公告)号：EP1569273A3

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：EP05104911.2

申请日：2004-07-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Schoellkopf, Jean-Pierre ,  Cerutti, Robin ,  Coronel, Philippe ,  Skotnicki, Thomas

IPC: H01L21/765 ,  H01L21/762 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/743 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/765 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant un substrat semiconducteur dans lequel des zones actives entourent ou sont entourées par des évidements remplis d'isolant, et dans lequel une région conductrice est noyée dans l'isolant d'au moins un évidement, la région conductrice étant connectée à une tension de référence et étant connectée à au moins un élément voisin du circuit.

公开(公告)号：EP1883112A1

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：EP07112649.4

申请日：2007-07-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

Inventor： Cazaux, Yvon ,  Coronel, Philippe ,  Fenouillet-Béranger, Claire ,  Roy, François

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comprenant des cellules photosensibles comportant des photodiodes (D) et au moins un circuit supplémentaire à forte dissipation thermique comportant des transistors (M 7 , M 8 ). Le capteur d'images est réalisé de façon monolithique et comprend une couche (60) d'un matériau semiconducteur ayant des première et deuxième faces opposées (15, 16) et comprenant, du côté de la première face (15), des premières régions (34, 38) correspondant aux bornes de puissance des transistors, l'éclairage du capteur d'images étant destiné à être réalisé du côté de la deuxième face ; un empilement de couches isolantes (70) recouvrant la première face ; un renfort (78) thermiquement conducteur recouvrant l'empilement du côté opposé à la couche ; et des vias (76) thermiquement conducteurs reliant la couche au renfort.

Abstract translation: 传感器具有在其前表面（15）的一侧上具有N和P型区域（34,38）的半导体材料衬底（14），对应于外围电路的MOS晶体管（M7，M8）的电源端子，具有 显着的散热。 一层绝缘层（70）覆盖该表面，并且导热硅增强件（78）覆盖与衬底相对的一侧的堆叠。 导热通孔（76）将衬底连接到加强件，其中传感器制成整体形式并且在衬底的后表面（16）的侧面上被照射。 还包括用于制造图像传感器的方法的独立权利要求。

公开(公告)号：EP1406307A1

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：EP03300142.1

申请日：2003-10-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Marty, Michel ,  Coronel, Philippe ,  Leverd, Francois

IPC: H01L29/732 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant une couche enterrée de type de conductivité déterminé dans un plan sensiblement parallèle au plan d'une surface principale du circuit, dans lequel la partie médiane de cette couche enterrée (23, 24) est remplie d'un matériau de type métallique (15).

Abstract translation: 集成电路包括一种具有导电性的掩埋层，该导电层在基本平行于电路主表面的平面的平面内确定。 该掩埋层（23,24）的中间部分填充有金属型材料（29）。 还包括用于形成埋藏在集成电路的半导体衬底中的层的方法的独立权利要求。

公开(公告)号：EP1569273A2

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：EP05104911.2

申请日：2004-07-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Schoellkopf, Jean-Pierre ,  Cerutti, Robin ,  Coronel, Philippe ,  Skotnicki, Thomas

IPC: H01L21/765 ,  H01L21/762 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/743 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/765 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant un substrat semiconducteur dans lequel des zones actives entourent ou sont entourées par des évidements remplis d'isolant, et dans lequel une région conductrice est noyée dans l'isolant d'au moins un évidement, la région conductrice étant connectée à une tension de référence et étant connectée à au moins un élément voisin du circuit.

Abstract translation: 集成电路包括半导体衬底，其中有源区围绕或被填充有绝缘体的空腔包围。 导电区域在至少一个空腔的绝缘中沉没，导电区域连接到参考电压并连接到电路的至少一个相邻元件。