公开(公告)号：FR3038775A1

公开(公告)日：2017-01-13

申请号：FR1556515

申请日：2015-07-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  ATHANASIOU SOTIRIOS

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/71 ,  H01L21/77 ,  H01L23/58

Abstract: Pour réaliser au moins une prise de contact substrat (BC1) pour un transistor MOS (TR1) réalisé dans et sur une zone active (5) d'un substrat de type silicium sur isolant (SOI), on réalise dans ladite zone active (5) au moins un deuxième transistor MOS (TR2) exempt de jonction PN possédant au moins une prise de contact (PCD2, PCS2) sur au moins l'une de ses régions de source (S1) ou de drain (S2). Cette prise de contact source et/ou drain forme ladite au moins une prise de contact substrat (BC1).

公开(公告)号：FR3057394B1

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：FR1661085

申请日：2016-11-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  ATHANASIOU SOTIRIOS

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02

Abstract: Le dispositif de protection est réalisé dans et sur un film semi-conducteur (1) situé sur une couche isolante enterrée (2) elle-même située au-dessus d'un caisson semi-conducteur (3). Il comprend une première borne (B1) et une deuxième borne (B2), au moins un module (MD1) comportant au moins un transistor MOS (TR) connecté entre la première borne (B1) et la deuxième borne (B2) et ayant sa région de grille (G), son substrat (B) et ledit caisson (3) électriquement couplés, au moins un circuit résistif-capacitif (RC) configuré pour rendre passant le transistor MOS (TR) lors de l'apparition d'une décharge électrostatique sur la première borne (B1) ou sur la deuxième borne (B2), ledit au moins un circuit résistif-capacitif (RC) possédant une partie commune avec l'une au moins des régions de source, de grille et de drain du transistor et comportant un élément capacitif et un élément résistif, une première électrode de l'élément capacitif comportant l'élément résistif et une deuxième électrode de l'élément capacitif comportant au moins une portion du film semi-conducteur (1).

公开(公告)号：FR3057394A1

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：FR1661085

申请日：2016-11-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  ATHANASIOU SOTIRIOS

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02

Abstract: Le dispositif de protection est réalisé dans et sur un film semi-conducteur (1) situé sur une couche isolante enterrée (2) elle-même située au-dessus d'un caisson semi-conducteur (3). Il comprend une première borne (B1) et une deuxième borne (B2), au moins un module (MD1) comportant au moins un transistor MOS (TR) connecté entre la première borne (B1) et la deuxième borne (B2) et ayant sa région de grille (G), son substrat (B) et ledit caisson (3) électriquement couplés, au moins un circuit résistif-capacitif (RC) configuré pour rendre passant le transistor MOS (TR) lors de l'apparition d'une décharge électrostatique sur la première borne (B1) ou sur la deuxième borne (B2), ledit au moins un circuit résistif-capacitif (RC) possédant une partie commune avec l'une au moins des régions de source, de grille et de drain du transistor et comportant un élément capacitif et un élément résistif, une première électrode de l'élément capacitif comportant l'élément résistif et une deuxième électrode de l'élément capacitif comportant au moins une portion du film semi-conducteur (1).

公开(公告)号：FR3053834A1

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：FR1657587

申请日：2016-08-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ATHANASIOU SOTIRIOS ,  GALY PHILIPPE

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/772

Abstract: L'invention concerne un transistor comprenant : une région quasi-intrinsèque (7) d'un premier type de conductivité recouverte par une grille (9) isolée et s'étendant entre deux premières régions (18, 19) dopées d'un deuxième type de conductivité, une électrode principale (23, 25) étant disposée sur chacune des premières régions ; et une deuxième région (29) dopée du deuxième type de conductivité en contact avec la région quasi-intrinsèque et à distance des deux premières régions, une électrode de commande (37) étant disposée sur la deuxième région.

公开(公告)号：FR3037718B1

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：FR1555459

申请日：2015-06-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  ATHANASIOU SOTIRIOS ,  LE COZ JULIEN ,  ENGELS SYLVAIN

IPC: H01L23/34 ,  H01L29/78

公开(公告)号：FR3037718A1

公开(公告)日：2016-12-23

申请号：FR1555459

申请日：2015-06-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  ATHANASIOU SOTIRIOS ,  LE COZ JULIEN ,  ENGELS SYLVAIN

IPC: H01L23/34 ,  H01L29/78

Abstract: Dispositif électronique, comprenant un circuit intégré (IC) comportant par exemple au moins un transistor MOS (TRN), et des moyens de chauffage (SC) électriquement couplés à au moins deux endroits (ED1, ED2) de l'une des régions semiconductrices de source (5) ou de drain (D) dudit au moins un transistor et configurés pour faire circuler au moins un courant (I) entre lesdits endroits.

公开(公告)号：FR3053834B1

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：FR1657587

申请日：2016-08-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ATHANASIOU SOTIRIOS ,  GALY PHILIPPE

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/772

Abstract: L'invention concerne un transistor comprenant : une région quasi-intrinsèque (7) d'un premier type de conductivité recouverte par une grille (9) isolée et s'étendant entre deux premières régions (18, 19) dopées d'un deuxième type de conductivité, une électrode principale (23, 25) étant disposée sur chacune des premières régions ; et une deuxième région (29) dopée du deuxième type de conductivité en contact avec la région quasi-intrinsèque et à distance des deux premières régions, une électrode de commande (37) étant disposée sur la deuxième région.