公开(公告)号：FR2964794A1

公开(公告)日：2012-03-16

申请号：FR1003656

申请日：2010-09-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LE COZ JULIEN ,  VALENTIAN ALEXANDRE ,  FLATRESSE PHILIPPE ,  ENGELS SYLVAIN

IPC: H01L27/088

Abstract: La présente invention concerne un circuit de polarisation dynamique du substrat d'un transistor MOS de puissance (MPs), comprenant un premier commutateur (MP1, MN2) agencé pour, lorsque la tension de grille du transistor provoque la conduction du transistor, relier le substrat à une source de courant qui polarise en direct la diode intrinsèque source-substrat (Db) du transistor, la source de courant comprenant un empilement de diodes (D1, D2) de même sens que la diode intrinsèque, entre le substrat et un potentiel d'alimentation (Vss).

公开(公告)号：FR2986373A1

公开(公告)日：2013-08-02

申请号：FR1250896

申请日：2012-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： LE COZ JULIEN ,  FLATRESSE PHILIPPE ,  BOEUF FREDERIC

IPC: H01L27/06 ,  H03K17/687 ,  H03K19/003

Abstract: L'invention concerne un circuit comprenant, entre deux bornes d'application d'une tension d'alimentation, un transistor MOS (34) et des composants logiques (36) formés dans des caissons semiconducteurs qui s'étendent sur un substrat semiconducteur (42) dopé d'un premier type de conductivité avec interposition d'une couche isolante (44). Une première région dopée du premier type de conductivité (50) s'étend sous la couche isolante en regard du caisson du transistor. Une deuxième région dopée d'un second type de conductivité (52) sépare la première région du substrat. Le circuit comprend un générateur d'un premier signal (Vg) appliqué sur la grille du transistor, d'un deuxième signal (Vp) appliqué sur la première région et d'un troisième signal (V1) appliqué sur la deuxième région, les premier et deuxième signaux variant entre deux valeurs simultanément, le deuxième signal présentant une tension supérieure, en valeur absolue à 1,8 V, la jonction constituée des première et deuxième régions étant bloquée.

公开(公告)号：FR3037718B1

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：FR1555459

申请日：2015-06-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  ATHANASIOU SOTIRIOS ,  LE COZ JULIEN ,  ENGELS SYLVAIN

IPC: H01L23/34 ,  H01L29/78

公开(公告)号：FR3037718A1

公开(公告)日：2016-12-23

申请号：FR1555459

申请日：2015-06-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  ATHANASIOU SOTIRIOS ,  LE COZ JULIEN ,  ENGELS SYLVAIN

IPC: H01L23/34 ,  H01L29/78

Abstract: Dispositif électronique, comprenant un circuit intégré (IC) comportant par exemple au moins un transistor MOS (TRN), et des moyens de chauffage (SC) électriquement couplés à au moins deux endroits (ED1, ED2) de l'une des régions semiconductrices de source (5) ou de drain (D) dudit au moins un transistor et configurés pour faire circuler au moins un courant (I) entre lesdits endroits.