公开(公告)号：FR2969820B1

公开(公告)日：2013-09-20

申请号：FR1061139

申请日：2010-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： AUMONT CHRISTOPHE ,  ODDOU JEAN-PIERRE ,  VAILLANT JEROME ,  GROS D AILLON PATRICK

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：FR2897472A1

公开(公告)日：2007-08-17

申请号：FR0650536

申请日：2006-02-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FELLOUS CYRIL ,  HOTELLIER NICOLAS ,  AUMONT CHRISTOPHE ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un photodétecteur comprenant une photodiode (D) formée dans un substrat semiconducteur (1) et un élément de guide d'onde (G) constitué d'un bloc d'un matériau à haut indice (7) s'étendant verticalement à l'aplomb de la photodiode dans une couche épaisse d'un diélectrique (5) superposée au substrat, la couche épaisse étant au moins majoritairement constituée d'oxyde de silicium et le bloc étant constitué d'un polymère siloxane.

公开(公告)号：FR2897472B1

公开(公告)日：2008-09-05

申请号：FR0650536

申请日：2006-02-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FELLOUS CYRIL ,  HOTELLIER NICOLAS ,  AUMONT CHRISTOPHE ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: A photodetector including a photodiode formed in a semiconductor substrate and a waveguide element formed of a block of a high-index material extending above the photodiode in a thick layer of a dielectric superposed to the substrate, the thick layer being at least as a majority formed of silicon oxide and the block being formed of a polymer of the general formula R1R2R3SiOSiR1R2R3 where R1, R2, and R3 are any carbonaceous or metal substituents and where one of R1, R2, or R3 is a carbonaceous substituent having at least four carbon atoms and/or at least one oxygen atom.

公开(公告)号：FR2969820A1

公开(公告)日：2012-06-29

申请号：FR1061139

申请日：2010-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： AUMONT CHRISTOPHE ,  ODDOU JEAN-PIERRE ,  VAILLANT JEROME ,  GROS D AILLON PATRICK

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'image éclairé par la face avant, comprenant des régions de photodétection (32), des éléments de transfert de charges (34) et un empilement d'interconnexion (L1, ..., L8) formés en surface d'un substrat semiconducteur (30), des microcavités étant formées dans l'empilement d'interconnexion en regard des régions de photodétection, les microcavités étant remplies de matériaux (48) formant filtres colorés comprenant des pigments métalliques, des régions (46) en un matériau formant barrière à la diffusion ionique s étendant sur les parois latérales des microcavités.