公开(公告)号：FR2854494A1

公开(公告)日：2004-11-05

申请号：FR0305419

申请日：2003-05-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  MARTINET BERTRAND ,  FELLOUS CYRIL

IPC: H01L21/331

Abstract: The method involves forming a sacrificial block acting as a window to emitter, on an encapsulation layer laid on a base layer (2). A sacrificial layer is laid on a base contact layer (7). Sum of thicknesses of the layer (7) and the sacrificial layer is equal to that of the encapsulation layer and block. The block and encapsulation layer are removed and an emitter layer (9) is laid. The sacrificial layer is removed. The sacrificial block is formed at a level of a base-emitter junction.

公开(公告)号：FR2902236B1

公开(公告)日：2008-12-05

申请号：FR0652068

申请日：2006-06-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HOTELLIER NICOLAS ,  FELLOUS CYRIL ,  COWACHE CHRISTOPHE ,  SANCHEZ YANNICK

IPC: H01L27/146

Abstract: A microelectronic device includes a color filter equipped with a plurality of filtering elements, including several filtering elements. The device includes at least one first zone located inside a cavity and includes a first group of filtering elements having a first critical dimension, and at least one second zone at the periphery of the cavity, including a second group of filtering elements having a second critical dimension that is different from the first critical dimension.

公开(公告)号：FR2897472A1

公开(公告)日：2007-08-17

申请号：FR0650536

申请日：2006-02-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FELLOUS CYRIL ,  HOTELLIER NICOLAS ,  AUMONT CHRISTOPHE ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un photodétecteur comprenant une photodiode (D) formée dans un substrat semiconducteur (1) et un élément de guide d'onde (G) constitué d'un bloc d'un matériau à haut indice (7) s'étendant verticalement à l'aplomb de la photodiode dans une couche épaisse d'un diélectrique (5) superposée au substrat, la couche épaisse étant au moins majoritairement constituée d'oxyde de silicium et le bloc étant constitué d'un polymère siloxane.

公开(公告)号：FR2803091B1

公开(公告)日：2002-03-08

申请号：FR9916283

申请日：1999-12-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  CHANTRE ALAIN ,  FELLOUS CYRIL

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222

公开(公告)号：FR2897472B1

公开(公告)日：2008-09-05

申请号：FR0650536

申请日：2006-02-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FELLOUS CYRIL ,  HOTELLIER NICOLAS ,  AUMONT CHRISTOPHE ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: A photodetector including a photodiode formed in a semiconductor substrate and a waveguide element formed of a block of a high-index material extending above the photodiode in a thick layer of a dielectric superposed to the substrate, the thick layer being at least as a majority formed of silicon oxide and the block being formed of a polymer of the general formula R1R2R3SiOSiR1R2R3 where R1, R2, and R3 are any carbonaceous or metal substituents and where one of R1, R2, or R3 is a carbonaceous substituent having at least four carbon atoms and/or at least one oxygen atom.

公开(公告)号：FR2902236A1

公开(公告)日：2007-12-14

申请号：FR0652068

申请日：2006-06-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HOTELLIER NICOLAS ,  FELLOUS CYRIL ,  COWACHE CHRISTOPHE ,  SANCHEZ YANNICK

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un dispositif microélectronique comprenant un dispositif de filtre de couleurs doté d'une pluralité d'éléments de filtrage dont plusieurs éléments de filtrage aptes respectivement à filtrer une première gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, plusieurs éléments de filtrage aptes respectivement à filtrer une deuxième gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, plusieurs éléments de filtrage aptes respectivement à filtrer une troisième gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, le dispositif comprenant au moins une première zone située dans une cavité (150) et comportant un premier groupement d'éléments de filtrage ayant une première dimension critique (dc1), et au moins une deuxième zone en périphérie de ladite cavité (150), comportant un deuxième groupement d'éléments de filtrage ayant une deuxième dimension critique (dc2), différente de la première dimension critique. L'invention concerne également un procédé de réalisation en couches minces d'un tel dispositif.

公开(公告)号：FR2803091A1

公开(公告)日：2001-06-29

申请号：FR9916283

申请日：1999-12-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  CHANTRE ALAIN ,  FELLOUS CYRIL

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222

Abstract: Doping of the extrinsic base of a bipolar transistor is effected in the vapor phase by putting into hot contact the region of the extrinsic base (8) with a flow of doping gas (FLX).