公开(公告)号：FR2870042A1

公开(公告)日：2005-11-11

申请号：FR0404992

申请日：2004-05-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BELY MICKAEL ,  BOULEMNAKHER MOUNIR ,  NOBLANC OLIVIER

IPC: H01G4/228 ,  H01G4/33 ,  H01G4/38 ,  H01G9/008 ,  H01L23/522 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08

Abstract: Structure capacitive réalisée dans des niveaux d'un circuit intégré, comprenant : des empilages secondaires (2, 3) d'armatures secondaires superposées (4, 5), chaque armature secondaire comprend des branches transversales (8, 11) reliées par une branche longitudinale (10, 13) ; des moyens (14, 15) pour relier les armatures secondaires superposées de chacun desdits empilages ; des premiers et seconds moyens (16, 17) pour relier successivement et alternativement de façon à constituer un premier groupe secondaire (18) d'empilages secondaires (2) et un second groupe secondaire (19) d'empilages secondaires (3) ; au moins deux empilages principaux (20, 21) d'armatures principales superposées (22, 23) comprenant respectivement des branches transversales (24, 27) reliées par une branche longitudinale (25, 28), disposées de telle sorte que que les branches transversales des armatures principales et les branches transversales des armatures secondaires desdites rangées s'étendent à l'opposé les unes des autres et les unes entre les autres de façon alternative ; des moyens (26, 29) pour relier les armatures principales superposées de chacun desdits empilages principaux (20, 21) ; et des moyens (33a) pour relier lesdits empilages principaux (20, 21) de façon à constituer un groupe d'empilages d'armatures principales.

公开(公告)号：FR2870042B1

公开(公告)日：2006-09-29

申请号：FR0404992

申请日：2004-05-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BELY MICKAEL ,  BOULEMNAKHER MOUNIR ,  NOBLANC OLIVIER

IPC: H01L23/522 ,  H01G4/228 ,  H01G4/33 ,  H01G4/38 ,  H01G9/008 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08

Abstract: A capacitive structure is provided that includes secondary stacks of superposed secondary electrodes that each include transverse branches connected via a longitudinal branch, means for connecting the superposed secondary electrodes of each of the stacks, first and second means for successively and alternately connecting so as to constitute a first secondary group of secondary stacks and a second secondary group of secondary stacks, at least two principal stacks of superposed principal electrodes which each include transverse branches that are connected via a longitudinal branch such that the transverse branches of the principal electrodes and the transverse branches of the secondary electrodes of the rows extend opposite one another and between one another in an alternating fashion, means for connecting the superposed principal electrodes of each of the principal stacks, and means for connecting the principal stacks so as to constitute a group of stacks of principal electrodes.

公开(公告)号：FR2883414A1

公开(公告)日：2006-09-22

申请号：FR0502746

申请日：2005-03-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BOULEMNAKHER MOUNIR ,  ROUX JOCELYN ,  BELY MICKAEL

IPC: H01L21/02

Abstract: Structure capacitive réalisée dans des niveaux d'un circuit intégré, comprenant, dans chaque niveau, des branches parallèles (2, 3) distantes les unes des autres, formées de telle sorte que les branches d'un niveau sont inclinées par rapport aux branches d'un niveau adjacent, les branches (2a, 2b) d'un niveau étant reliées sélectivement aux branches (3a, 3b) d'un niveau adjacent.par des vias de connexion électrique (4, 5) de façon à constituer des armatures (6, 7) comprenant respectivement certaines des branches de chaque niveau reliées par des vias.