公开(公告)号：FR2870042B1

公开(公告)日：2006-09-29

申请号：FR0404992

申请日：2004-05-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BELY MICKAEL ,  BOULEMNAKHER MOUNIR ,  NOBLANC OLIVIER

IPC: H01L23/522 ,  H01G4/228 ,  H01G4/33 ,  H01G4/38 ,  H01G9/008 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08

Abstract: A capacitive structure is provided that includes secondary stacks of superposed secondary electrodes that each include transverse branches connected via a longitudinal branch, means for connecting the superposed secondary electrodes of each of the stacks, first and second means for successively and alternately connecting so as to constitute a first secondary group of secondary stacks and a second secondary group of secondary stacks, at least two principal stacks of superposed principal electrodes which each include transverse branches that are connected via a longitudinal branch such that the transverse branches of the principal electrodes and the transverse branches of the secondary electrodes of the rows extend opposite one another and between one another in an alternating fashion, means for connecting the superposed principal electrodes of each of the principal stacks, and means for connecting the principal stacks so as to constitute a group of stacks of principal electrodes.

公开(公告)号：FR2814856B1

公开(公告)日：2003-07-11

申请号：FR0012601

申请日：2000-10-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： COLLARD EMMANUEL ,  DEFIVES DOMINIQUE ,  NOBLANC OLIVIER

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/329 ,  H01L29/45 ,  H01L29/872

公开(公告)号：FR2814855B1

公开(公告)日：2003-10-31

申请号：FR0012596

申请日：2000-10-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DEFIVES DOMINIQUE ,  NOBLANC OLIVIER ,  COLLARD EMMANUEL

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306

公开(公告)号：FR2814856A1

公开(公告)日：2002-04-05

申请号：FR0012601

申请日：2000-10-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： COLLARD EMMANUEL ,  DEFIVES DOMINIQUE ,  NOBLANC OLIVIER

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/329 ,  H01L29/45 ,  H01L29/872

Abstract: A method for the production of an ohmic contact on a substrate of silicon carbide consists of depositing a layer (2) of titanium silicide (TiSi2) on the substrate (1) and annealing at a temperature of 500 - 800 deg C. An Independent claim is included for the production of a Schottky diode by this method.

公开(公告)号：FR2870042A1

公开(公告)日：2005-11-11

申请号：FR0404992

申请日：2004-05-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BELY MICKAEL ,  BOULEMNAKHER MOUNIR ,  NOBLANC OLIVIER

IPC: H01G4/228 ,  H01G4/33 ,  H01G4/38 ,  H01G9/008 ,  H01L23/522 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08

Abstract: Structure capacitive réalisée dans des niveaux d'un circuit intégré, comprenant : des empilages secondaires (2, 3) d'armatures secondaires superposées (4, 5), chaque armature secondaire comprend des branches transversales (8, 11) reliées par une branche longitudinale (10, 13) ; des moyens (14, 15) pour relier les armatures secondaires superposées de chacun desdits empilages ; des premiers et seconds moyens (16, 17) pour relier successivement et alternativement de façon à constituer un premier groupe secondaire (18) d'empilages secondaires (2) et un second groupe secondaire (19) d'empilages secondaires (3) ; au moins deux empilages principaux (20, 21) d'armatures principales superposées (22, 23) comprenant respectivement des branches transversales (24, 27) reliées par une branche longitudinale (25, 28), disposées de telle sorte que que les branches transversales des armatures principales et les branches transversales des armatures secondaires desdites rangées s'étendent à l'opposé les unes des autres et les unes entre les autres de façon alternative ; des moyens (26, 29) pour relier les armatures principales superposées de chacun desdits empilages principaux (20, 21) ; et des moyens (33a) pour relier lesdits empilages principaux (20, 21) de façon à constituer un groupe d'empilages d'armatures principales.

公开(公告)号：FR2814855A1

公开(公告)日：2002-04-05

申请号：FR0012596

申请日：2000-10-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DEFIVES DOMINIQUE ,  NOBLANC OLIVIER ,  COLLARD EMMANUEL

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306

Abstract: A Schottky junction presenting a stable live gate height of the order of 0.8 to 1 volt on a layer of silicon carbide incorporates a layer of refractory metal nitride on this layer of silicon carbide. An Independent claim is included for a method for the formation of such a Schottky junction on a silicon carbide substrate.