公开(公告)号：FR2900276B1

公开(公告)日：2008-09-12

申请号：FR0603684

申请日：2006-04-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GROS JEAN MICHAEL ,  BENOIT DANIEL ,  REGOLINI JORGE LUIS

IPC: H01L21/205

公开(公告)号：FR2900276A1

公开(公告)日：2007-10-26

申请号：FR0603684

申请日：2006-04-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GROS JEAN MICHAEL ,  BENOIT DANIEL ,  REGOLINI JORGE LUIS

IPC: H01L21/205

Abstract: Procédé de dépôt d'un matériau à base de silicium sur un substrat par une technologie de dépôt par couche atomique assistée par plasma, le procédé étant réalisé en plusieurs cycles (C1, C2,...,Cn), chaque cycle comprenant les étapes consistant à :- exposer le substrat à un premier précurseur qui est un précurseur organométallique du silicium et- appliquer un plasma d'au moins un second précurseur différent du premier précurseur.