公开(公告)号：FR2904328B1

公开(公告)日：2008-10-24

申请号：FR0606902

申请日：2006-07-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GROS JEAN MICHAEL ,  BOUVET PHILIPPE

IPC: C23C16/50

Abstract: The method involves exposing the substrate to precursor in the gaseous phase with the precursor molecules presenting a non-zero dipole moment and applying an electric field during exposing the substrate so as to adsorb precursor molecules on substrate.

公开(公告)号：FR2896621B1

公开(公告)日：2008-06-27

申请号：FR0600561

申请日：2006-01-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CAUBET PIERRE ,  GROS JEAN MICHAEL

IPC: H01L27/146 ,  G02B5/20 ,  H01L31/0216

Abstract: The circuit (1) has a photodiode (2) delivering an electrical signal when the photodiode is attained by a wavelength of visible spectrum, where the photodiode comprises polymorphous or amorphous hydrated silicon. An electro-optical system (20) is situated on a path of light rays reaching the photodiode and has an optical property e.g. transmission co-efficient, modified by an electrical control. The system filters 80 percent of large wavelength from the visible spectrum. An independent claim is also included for a method for forming an integrated circuit.

公开(公告)号：FR2900276B1

公开(公告)日：2008-09-12

申请号：FR0603684

申请日：2006-04-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GROS JEAN MICHAEL ,  BENOIT DANIEL ,  REGOLINI JORGE LUIS

IPC: H01L21/205

公开(公告)号：FR2904328A1

公开(公告)日：2008-02-01

申请号：FR0606902

申请日：2006-07-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GROS JEAN MICHAEL ,  BOUVET PHILIPPE

IPC: C23C16/50

Abstract: Un procédé de dépôt par adsorption d'un matériau sur un substrat, comprenant les étapes de :- exposition du substrat à un précurseur en phase gazeuse, les molécules de précurseur présentant un moment dipolaire non nul, et- application d'un champ électrique lors de l'étape d'exposition du substrat.

公开(公告)号：FR2896621A1

公开(公告)日：2007-07-27

申请号：FR0600561

申请日：2006-01-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CAUBET PIERRE ,  GROS JEAN MICHAEL

IPC: H01L27/146 ,  G02B5/20 ,  H01L31/0216

Abstract: L'invention propose un circuit intégré 1 comprenant au moins un élément photosensible 2 capable de délivrer un signal électrique lorsqu'il est atteint par au moins une longueur d'onde du spectre visible, et un système électro-optique 20. Le système électro-optique 20 est situé sur le trajet d'au moins un rayon lumineux capable d'atteindre l'élément photosensible 2 et possède au moins une propriété optique qui peut être modifiée par une commande électrique.

公开(公告)号：FR2884649A1

公开(公告)日：2006-10-20

申请号：FR0503892

申请日：2005-04-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GROS JEAN MICHAEL ,  CASANOVA NICOLAS ,  MICHAILOS JEAN

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/02

Abstract: L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un circuit intégré comprenant au moins un condensateur dans lequel au moins une des électrodes est en cuivre, comprenant l'étape de formation d'une couche de carbure de silicium dopé à l'azote (6) entre l'électrode de cuivre et la couche diélectrique (7) du condensateur, ainsi qu'un circuit intégré comprenant un tel condensateur.

公开(公告)号：FR2945671A1

公开(公告)日：2010-11-19

申请号：FR0953288

申请日：2009-05-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： REGOLINI JORGE ,  GROS JEAN MICHAEL

IPC: H01L31/101 ,  H01L21/22 ,  H01L21/328 ,  H01L21/469

Abstract: Cette photodiode comprend une première couche dopée (2) et une deuxième couche dopée (3) présentant une face commune, au moins une tranchée d'isolation profonde (4) présentant une face contiguë avec la première couche dopée (2) et la deuxième couche dopée (3), une face libre de la deuxième couche dopée (3) étant en contact avec une couche conductrice (5). Elle comprend une couche de protection (7) apte à générer une couche de charges négatives à l'interface avec la première couche dopée (2) et la deuxième couche dopée (3).

公开(公告)号：FR2900276A1

公开(公告)日：2007-10-26

申请号：FR0603684

申请日：2006-04-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GROS JEAN MICHAEL ,  BENOIT DANIEL ,  REGOLINI JORGE LUIS

IPC: H01L21/205

Abstract: Procédé de dépôt d'un matériau à base de silicium sur un substrat par une technologie de dépôt par couche atomique assistée par plasma, le procédé étant réalisé en plusieurs cycles (C1, C2,...,Cn), chaque cycle comprenant les étapes consistant à :- exposer le substrat à un premier précurseur qui est un précurseur organométallique du silicium et- appliquer un plasma d'au moins un second précurseur différent du premier précurseur.

公开(公告)号：FR2884649B1

公开(公告)日：2007-07-20

申请号：FR0503892

申请日：2005-04-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GROS JEAN MICHAEL ,  CASANOVA NICOLAS ,  MICHAILOS JEAN

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/02

Abstract: The process and integrated circuit include at least one capacitor in which at least one of the electrodes is made of copper. The method includes forming a nitrogen-doped silicon carbide film between the copper electrode and the dielectric film of the capacitor.