公开(公告)号：FR2928490A1

公开(公告)日：2009-09-11

申请号：FR0851494

申请日：2008-03-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： COUDRAIN PERCEVAL ,  CORONEL PHILIPPE ,  MARTY MICHEL ,  BOPP MATTHIEU

IPC: H01L21/00 ,  H01L31/0232

Abstract: L'invention concerne une structure semiconductrice comprenant une première zone active (R) sous laquelle est enterrée une première couche réfléchissante (32) et au moins une deuxième zone active (G) sous laquelle est enterrée une deuxième couche réfléchissante (34), caractérisée en ce que la surface supérieure de la deuxième couche réfléchissante est plus proche de la surface supérieure de la structure que la surface supérieure de la première couche réfléchissante.

公开(公告)号：FR2928490B1

公开(公告)日：2011-04-15

申请号：FR0851494

申请日：2008-03-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： COUDRAIN PERCEVAL ,  CORONEL PHILIPPE ,  MARTY MICHEL ,  BOPP MATTHIEU

IPC: H01L21/00 ,  H01L31/0232