公开(公告)号：JP2006121082A

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：JP2005302800

申请日：2005-10-18

Applicant: St Microelectronics Sa ,  Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas ,  エスティマイクロエレクトロニクス エスエー ,  エスティマイクロエレクトロニクス(クロル 2)エスエーエスSTMicroelectronics (Crolles 2)SAS

Inventor： LENOBLE DAMIEN ,  CORONEL PHILIPPE ,  CERUTTI ROBIN

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76805 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/485 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an easy method for forming a compact pad whose manufacturing cost can be reduced.
SOLUTION: A region 51 is an area 510 that extends at least up to part of the front surface of the region, and can be locally changed for the purpose of forming the area using a material that can be selectively removed from the region. This region is covered with an insulating material 7, and an orifice 90 that appears on the front surface of the area 510 is formed in the insulating material. The material that can be selectively removed is removed from this area through the orifice so that a cavity 520 may be formed in place of this area. The cavity and the orifice are filled up with at least one conductive material 91.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于形成其制造成本可以降低的紧凑型垫的简单方法。 解决方案：区域51是至少延伸到区域的前表面的一部分的区域510，并且可以局部地改变以便使用可以从区域中选择性地去除的材料形成区域 。 该区域被绝缘材料7覆盖，并且在绝缘材料中形成出现在区域510的前表面上的孔口90。 可以选择性地除去的材料通过孔口从该区域移除，从而可以形成空腔520来代替该区域。 空腔和孔口填充有至少一个导电材料91.版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：FR3010830B1

公开(公告)日：2016-12-23

申请号：FR1358934

申请日：2013-09-17

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  LHOSTIS SANDRINE ,  MAITRE CHRISTOPHE ,  KOKSHAGINA OLGA ,  CORONEL PHILIPPE

IPC: H01L23/473

公开(公告)号：FR3010830A1

公开(公告)日：2015-03-20

申请号：FR1358934

申请日：2013-09-17

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  LHOSTIS SANDRINE ,  MAITRE CHRISTOPHE ,  KOKSHAGINA OLGA ,  CORONEL PHILIPPE

IPC: H01L23/473

Abstract: L'invention concerne un dispositif (200) de refroidissement d'une puce (IC) de circuit intégré, comportant un réseau de micro-canalisations (209, 211, 213, 215) dans lequel des portions de canalisations sont reliées par des vannes (218) comportant chacune au moins une lamelle (221) bicouche.

公开(公告)号：FR2954584A1

公开(公告)日：2011-06-24

申请号：FR0906233

申请日：2009-12-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FENOUILLET BERANGER CLAIRE ,  DENORME STEPHANE ,  CORONEL PHILIPPE

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/12

Abstract: Un substrat hybride comporte des première (1) et seconde (3) zones actives en matériaux semi-conducteur décalées latéralement et séparées par une zone d'isolation (5). Les surfaces principales de la zone d'isolation (5) et de la première zone active (1) forment un plan. Le substrat hybride est obtenu à partir d'un substrat souche comportant successivement des couches en premier (2) et second (4) matériaux semi-conducteurs séparées par une couche d'isolation (6). Un unique masque de gravure est utilisé pour structurer la zone d'isolation (5), la première zone active (1) et la seconde zone active (3). La surface principale de la première zone active (1) est libérée formant ainsi des zones vides dans le substrat souche. Le masque de gravure est éliminé au dessus de la première zone active (1). Un premier matériau d'isolation est déposé, aplani et gravé jusqu'à libérer la surface principale de la première zone active (1).

公开(公告)号：FR2928029B1

公开(公告)日：2011-04-08

申请号：FR0851266

申请日：2008-02-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BERNARD EMILIE ,  GUILLAUMOT BERNARD ,  CORONEL PHILIPPE

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：FR2946457A1

公开(公告)日：2010-12-10

申请号：FR0953766

申请日：2009-06-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： COUDRAIN PERCEVAL ,  CORONEL PHILIPPE ,  BUFFET NICOLAS

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/535

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un niveau d'une structure tridimensionnelle sur un premier support (30, 34) dans lequel sont formés des composants, comprenant les étapes suivantes : former, sur un deuxième support semiconducteur, un substrat semiconducteur monocristallin (36) avec interposition d'une couche d'oxyde thermique ; apposer la face libre du substrat semiconducteur monocristallin sur la surface supérieure du premier support ; éliminer le deuxième support semiconducteur ; et amincir la couche d'oxyde thermique jusqu'à une épaisseur propre à constituer un isolant de grille.

公开(公告)号：FR2915023A1

公开(公告)日：2008-10-17

申请号：FR0702696

申请日：2007-04-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DUTARTRE DIDIER ,  CORONEL PHILIPPE ,  LOUBET NICOLAS

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/20

Abstract: Un procédé de réalisation de contacts métalliques auto-positionnés sur une plaque de produit semi-conducteur les emplacements respectifs des contacts métalliques étant déterminés par une étape de dépôt sélectif d'un matériau de croissance.

公开(公告)号：FR2845201B1

公开(公告)日：2005-08-05

申请号：FR0211989

申请日：2002-09-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CORONEL PHILIPPE ,  REGNIER CHRISTOPHE ,  WACQUANT FRANCOIS ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: The formation of a portion of a composite material from the elements of an initial material and a metal at the heart of an electronic circuit, comprises: (a) formation of a cavity (C) incorporating at least one opening (O) towards an access surface and presenting an internal wall having a zone of an initial material; (b) deposition of a metal (6) in the proximity of this zone of initial material; (c) heating of the circuit to form a portion of composite material (26) in the zone of initial material; (d) withdrawing from the cavity, via the opening, at least one portion of the metal not having formed the composite material. Independent claims are also included for: (a) an electronic circuit incorporating a portion of composite material formed by this method and acting as an electrical connection; (b) a MOS transistor incorporating a gate having a portion of composite material formed by this method.

公开(公告)号：FR2838866A1

公开(公告)日：2003-10-24

申请号：FR0205073

申请日：2002-04-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CORONEL PHILIPPE ,  LEVERD FRANCOIS ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/68 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/544 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H01L51/40 ,  H01L21/70 ,  H01L27/108

Abstract: Fabrication of an integrated electronic component comprises: producing an initial structure (SI) incorporating volumes of respective materials forming a definite pattern (M) on a first substrate; transferring the pattern to a second substrate (200); and producing, on the second substrate surface, an additional structure by using the volumes of the materials of the pattern as alignment markers. Fabrication of an integrated electronic component comprises: (a) producing, on the surface of a first substrate (100), an initial structure (SI) incorporating volumes of respective materials, at least part of the volumes forming a definite pattern (M); (b) transferring at least a part of the initial structure (SI) comprising the pattern of the first substrate (100) to a second substrate (200); and (c) producing, on the surface of the second substrate (200), an additional structure by using at least some of the volumes of the materials of the pattern (M) as alignment markers. Independent claims are given for: (i) an integrated electronic component obtained by the invented process; and (ii) an electronic device comprising a transistor, or a diode, or a dynamic random access memory (DRAM) element.

公开(公告)号：FR2830984A1

公开(公告)日：2003-04-18

申请号：FR0113375

申请日：2001-10-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  LEVERD FRANCOIS ,  CORONEL PHILIPPE ,  TORRES JOAQUIM

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/764