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公开(公告)号：AT527754T
公开(公告)日：2011-10-15
申请号：AT10158033
申请日：2010-03-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： COUDRAIN PERCEVAL , PETIT DAVID
Abstract: The device has a resonant stack (32) comprising metallic conductive layers (34, 38) and a piezoelectric layer (36), where one of the metallic layers is formed on a silicon substrate (30). A buried cavity (40) is formed deeply in the substrate. Thickness of the silicon substrate above the cavity has a first value in a first region (42) situated opposite to center of the stack, a second value in a second region (44) situated under the periphery of the stack and a third value in a third region (46) enclosing the second region, where the second value is greater than first and third values. An independent claim is also included for a method for forming a resonant device.
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公开(公告)号：FR2946457A1
公开(公告)日：2010-12-10
申请号：FR0953766
申请日：2009-06-05
Inventor： COUDRAIN PERCEVAL , CORONEL PHILIPPE , BUFFET NICOLAS
IPC: H01L21/762 , H01L23/535
Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un niveau d'une structure tridimensionnelle sur un premier support (30, 34) dans lequel sont formés des composants, comprenant les étapes suivantes : former, sur un deuxième support semiconducteur, un substrat semiconducteur monocristallin (36) avec interposition d'une couche d'oxyde thermique ; apposer la face libre du substrat semiconducteur monocristallin sur la surface supérieure du premier support ; éliminer le deuxième support semiconducteur ; et amincir la couche d'oxyde thermique jusqu'à une épaisseur propre à constituer un isolant de grille.
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公开(公告)号：FR3049764B1
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：FR1652720
申请日：2016-03-30
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： PRIETO HERRERA RAFAEL , COLONNA JEAN-PHILIPPE , COUDRAIN PERCEVAL
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
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4.发明专利
公开(公告)号：FR3053526B1
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：FR1656331
申请日：2016-07-01
Inventor： CAMPOS DIDIER , BESANCON BENOIT , COUDRAIN PERCEVAL , COLONNA JEAN-PHILIPPE
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公开(公告)号：FR3059152A1
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：FR1661261
申请日：2016-11-21
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
IPC: H01L23/34
Abstract: Dispositif de transfert thermique comprenant un empilement qui comprend : au moins une couche conductrice de la chaleur (3), présentant au moins une portion de récupération de chaleur (5), apte à être placée en regard d'une source de chaleur, et une portion d'évacuation de chaleur (6), apte à être placée en regard d'un puits thermique, et au moins une couche d'absorption de la chaleur (4), incluant une matière à changement de phase, dont une face est accolée à au moins une partie d'au moins une face de ladite couche conductrice de la chaleur. Dispositif électronique comprenant un tel dispositif de transfert thermique.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2964789A1
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：FR1003633
申请日：2010-09-10
Inventor： CASSET FABRICE , CADIX LIONEL , COUDRAIN PERCEVAL , FARCY ALEXIS , CHAPELON LAURENT LUC , FELK YACINE , ANCEY PASCAL
IPC: H01L23/495 , H01L21/027 , H01L21/441
Abstract: Le circuit intégré comporte un substrat de support (1) ayant des première et seconde faces principales (2a, 2b) opposées. Une cavité traverse le substrat de support (1) et relie les première et seconde faces principales (2a, 2b). Le circuit intégré comporte un dispositif à élément mobile (5) dont l'élément mobile (6) et un couple d'électrodes (7) associées sont inclus dans une cavité. Un nœud d'ancrage de l'élément mobile (6) est localisé au niveau de la première face principale (2a). Le circuit intégré comprend une première puce (3) élémentaire disposée au niveau de la première face principale (2a) et connectée électriquement au dispositif à élément mobile (5).
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公开(公告)号：FR2946457B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：FR0953766
申请日：2009-06-05
Inventor： COUDRAIN PERCEVAL , CORONEL PHILIPPE , BUFFET NICOLAS
IPC: H01L21/762 , H01L23/535
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公开(公告)号：FR3059152B1
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：FR1661261
申请日：2016-11-21
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
IPC: H01L23/34
Abstract: Dispositif de transfert thermique comprenant un empilement qui comprend : au moins une couche conductrice de la chaleur (3), présentant au moins une portion de récupération de chaleur (5), apte à être placée en regard d'une source de chaleur, et une portion d'évacuation de chaleur (6), apte à être placée en regard d'un puits thermique, et au moins une couche d'absorption de la chaleur (4), incluant une matière à changement de phase, dont une face est accolée à au moins une partie d'au moins une face de ladite couche conductrice de la chaleur. Dispositif électronique comprenant un tel dispositif de transfert thermique.
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9.发明专利
公开(公告)号：FR3053526A1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：FR1656331
申请日：2016-07-01
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , STMICROELECTRONICS (GRENOBLE 2) SAS , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： CAMPOS DIDIER , BESANCON BENOIT , COUDRAIN PERCEVAL , COLONNA JEAN-PHILIPPE
Abstract: Procédé de fabrication collective de dispositifs électroniques, comprenant les étapes suivantes: monter des puces électroniques (4) sur une face d'une plaque collective de substrat, étendre et fixer une feuille flexible collective en une matière conductrice de la chaleur comprenant une couche à base de graphite sur une zone collective s'étendant au-dessus des puces et au-dessus de la plaque collective de substrat, entre les puces, comprimer ladite feuille flexible collective, réaliser une découpe pour l'obtention de dispositifs électroniques comprenant une puce, une portion de ladite plaque collective et une portion de ladite feuille flexible collective. Dispositif électronique comprenant une plaque de substrat (2), une puce électronique (4) montée sur la plaque de substrat, et une couche flexible (12) conductrice de la chaleur à base de graphite, la couche flexible étant située sur une zone (11) s'étendant au-dessus de la puce et au-dessus de la plaque, autour de la puce.
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公开(公告)号：FR2928490B1
公开(公告)日：2011-04-15
申请号：FR0851494
申请日：2008-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： COUDRAIN PERCEVAL , CORONEL PHILIPPE , MARTY MICHEL , BOPP MATTHIEU
IPC: H01L21/00 , H01L31/0232
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