公开(公告)号：FR2884649A1

公开(公告)日：2006-10-20

申请号：FR0503892

申请日：2005-04-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GROS JEAN MICHAEL ,  CASANOVA NICOLAS ,  MICHAILOS JEAN

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/02

Abstract: L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un circuit intégré comprenant au moins un condensateur dans lequel au moins une des électrodes est en cuivre, comprenant l'étape de formation d'une couche de carbure de silicium dopé à l'azote (6) entre l'électrode de cuivre et la couche diélectrique (7) du condensateur, ainsi qu'un circuit intégré comprenant un tel condensateur.

公开(公告)号：FR2884649B1

公开(公告)日：2007-07-20

申请号：FR0503892

申请日：2005-04-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GROS JEAN MICHAEL ,  CASANOVA NICOLAS ,  MICHAILOS JEAN

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/02

Abstract: The process and integrated circuit include at least one capacitor in which at least one of the electrodes is made of copper. The method includes forming a nitrogen-doped silicon carbide film between the copper electrode and the dielectric film of the capacitor.

公开(公告)号：FR2891084A1

公开(公告)日：2007-03-23

申请号：FR0507269

申请日：2005-07-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CAUBET PIERRE ,  CASANOVA NICOLAS

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L27/08 ,  H01L27/146

Abstract: Un produit semiconducteur comprenant une portion en cuivre, une portion en un matériau diélectrique, et une barrière auto-alignée entre la portion en cuivre et la portion en matériau diélectrique. La barrière auto-alignée comprend une première couche de siliciure de cuivre comprenant en majorité des premières molécules de siliciure de cuivre, et une seconde couche de siliciure de cuivre comprenant en majorité des secondes molécules de siliciure de cuivre. La proportion du nombre d'atomes de silicium est plus élevée dans les secondes molécules que dans les premières molécules.