公开(公告)号：FR3006809A1

公开(公告)日：2014-12-12

申请号：FR1355267

申请日：2013-06-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HASBANI FREDERIC ,  DI GILIO THIERRY

IPC: H01L27/092 ,  H03F3/30

Abstract: L'invention concerne une cellule MOS réalisée dans une technologie silicium entièrement déplété sur isolant, comportant au moins un premier transistor NMOS (1N) et au moins un deuxième transistor PMOS (1P) ou NMOS, formés dans un couche de silicium au-dessus d'une couche en matériau isolant, un premier caisson de type N (2N) et un deuxième caisson de type P (2P) ou de type N, étant réalisés, sous la couche isolante, respectivement à l'aplomb des premier et des deuxième transistors, dans une couche de type N présente sur un substrat de type P, une source du premier transistor NMOS étant polarisée à un potentiel négatif par rapport à un potentiel de polarisation du substrat, ledit caisson (2N) de ce premier transistor étant polarisé à un potentiel positif ou nul par rapport au potentiel de polarisation du substrat.

公开(公告)号：FR3068187A1

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：FR1755764

申请日：2017-06-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DI GILIO THIERRY

IPC: H02M3/07 ,  H02M3/155

Abstract: L'invention concerne un circuit à pompe de charges négative, comprenant un premier condensateur (Cflyl) ; un premier commutateur (SW11) ; un deuxième commutateur (SW12) ; et un circuit de commande (25) adapté à : - dans une première phase de fonctionnement, commander les premier et deuxième commutateurs alternativement dans une première configuration dans laquelle les première (11) et deuxième (13) électrodes du premier condensateur sont reliées respectivement aux premier (Vbat) et deuxième (Gnd) noeuds et dans une deuxième configuration dans laquelle les première (11) et deuxième (13) électrodes du premier condensateur sont reliées respectivement aux deuxième (Gnd) et troisième (Vneg) noeuds ; et - dans une deuxième phase de fonctionnement, forcer le premier commutateur à relier la première électrode (11) du premier condensateur au deuxième noeud (Gnd) et commander le deuxième commutateur pour relier la deuxième électrode du premier condensateur alternativement au deuxième (Gnd) et au troisième (Vneg) noeud.

公开(公告)号：FR3013148A1

公开(公告)日：2015-05-15

申请号：FR1361068

申请日：2013-11-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： AGUT FRANCOIS ,  DI GILIO THIERRY

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/58

Abstract: L'invention concerne un procédé d'alimentation d'un système intégré (IS) réalisé conformément à la technologie silicium sur isolant SOI, le procédé comprenant des étapes de génération d'une première tension (V+) supérieure à une tension d'alimentation (Vdd), une seconde tension (V-) inférieure à une tension de masse (Gnd), et une tension de polarisation (Vbp, Vbn) supérieure ou égale à la seconde tension et inférieure à la tension de masse, et de sélection d'un mode d'alimentation d'une unité de traitement du système intégré parmi plusieurs modes d'alimentation, en fonction de l'activité de l'unité de traitement, les modes d'alimentation comprenant : un premier mode dans lequel des caissons (PW) de type de conductivité P de transistors (MN, MP1) de l'unité de traitement sont polarisés à la tension de polarisation, et un second mode dans lequel la seconde tension est absente, et les caissons de type de conductivité P du système intégré à la masse.

公开(公告)号：FR3068187B1

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：FR1755764

申请日：2017-06-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DI GILIO THIERRY

IPC: H02M3/07 ,  H02M3/155

Abstract: L'invention concerne un circuit à pompe de charges négative, comprenant un premier condensateur (Cflyl) ; un premier commutateur (SW11) ; un deuxième commutateur (SW12) ; et un circuit de commande (25) adapté à : - dans une première phase de fonctionnement, commander les premier et deuxième commutateurs alternativement dans une première configuration dans laquelle les première (11) et deuxième (13) électrodes du premier condensateur sont reliées respectivement aux premier (Vbat) et deuxième (Gnd) noeuds et dans une deuxième configuration dans laquelle les première (11) et deuxième (13) électrodes du premier condensateur sont reliées respectivement aux deuxième (Gnd) et troisième (Vneg) noeuds ; et - dans une deuxième phase de fonctionnement, forcer le premier commutateur à relier la première électrode (11) du premier condensateur au deuxième noeud (Gnd) et commander le deuxième commutateur pour relier la deuxième électrode du premier condensateur alternativement au deuxième (Gnd) et au troisième (Vneg) noeud.