公开(公告)号：FR2871922A1

公开(公告)日：2005-12-23

申请号：FR0406600

申请日：2004-06-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FREY CHRISTOPHE ,  TURGIS DAVID ,  LAFONT JEAN CHRISTOPHE

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/40 ,  H03K3/356

Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire (1), qui comprend :-un bistable (2) présentant des bornes de lecture/écriture complémentaires;-une ligne d'écriture de bit à 1 (wb11);-un premier transistor interrupteur (T4) entre la ligne d'écriture de bit à 1 et la borne, sa grille étant connectée à une ligne de sélection de mot (Wll);-une ligne d'écriture de bit à 0 (wb10);-un second transistor interrupteur (T3) entre la ligne d'écriture de bit à 0 et la borne, sa grille étant connectée à une ligne de sélection de mot (W12);-une ligne de lecture de bit (b1r);-des transistors de lecture (T1, T2), dont une grille est connectée à une borne de lecture/écriture et dont l'autre est connectée à une ligne de sélection de mot.L'invention permet notamment de réduire la surface et la complexité d'une cellule mémoire.