公开(公告)号：FR2974236A1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：FR1153319

申请日：2011-04-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  IBM

Inventor： DUTARTRE DIDIER ,  BREIL NICOLAS ,  SHEPARD JOSEPH

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/70

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor MOS sur silicium-germanium comprenant les étapes consistant à former par épitaxie sur le silicium-germanium (21) une mince couche de silicium (24) ; et procéder à une oxydation thermique propre à oxyder toute la mince couche de silicium et seulement cette mince couche de silicium.

公开(公告)号：FR2978602A1

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：FR1156990

申请日：2011-07-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  IBM

Inventor： DUTARTRE DIDIER ,  BREIL NICOLAS ,  CAMPIDELLI YVES ,  GOURHANT OLIVIER

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/822

Abstract: L'invention concerne un procédé de dépôt d'une couche d'oxyde de silicium (32) sur un substrat comprenant une région de silicium et une région de silicium-germanium, comprenant les étapes suivantes : former une couche très mince de silicium (30) d'une épaisseur de 0,1 à 1 nm au-dessus du silicium-germanium ; et déposer une couche d'oxyde de silicium (32) sur le substrat.