-
公开(公告)号:FR2950504B1
公开(公告)日:2012-06-22
申请号:FR0956600
申请日:2009-09-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor: BARBIER FREDERIC , ROY FRANCOIS
IPC: H04N5/335 , H01L31/0352 , H01L31/18
-
公开(公告)号:FR2976121A1
公开(公告)日:2012-12-07
申请号:FR1154735
申请日:2011-05-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor: BARBIER FREDERIC , LALANNE FREDERIC
IPC: H01L27/148 , H04N5/355 , H04N5/3745
Abstract: Procédé de commande d'un pixel (Pix) comprenant au moins un premier et un second photosites (P1, P3) comportant chacun une photodiode (PPD1, PPD3) et un transistor de transfert de charges TG1, TG3), un nœud de lecture (SN) et une électronique de lecture communs à tous les photosites. Le procédé comprend une accumulation de charges photogénérées dans la photodiode (PPD1) du premier photosite (P1) pendant une première période, une accumulation de charges photogénérées dans la photodiode (PPD3) du second photosite (P3) pendant une seconde période plus courte que la première période, une sélection du signal correspondant à la quantité de charges accumulées dans la photodiode d'un photosite ayant l'intensité non saturée la plus élevée ou bien une transmission d'un signal de saturation, et une numérisation du signal sélectionné.
-
公开(公告)号:FR2950504A1
公开(公告)日:2011-03-25
申请号:FR0956600
申请日:2009-09-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor: BARBIER FREDERIC , ROY FRANCOIS
IPC: H04N5/335 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: L'invention concerne un circuit de pixel d'un capteur d'image comprenant un noeud de détection (106) pour mémoriser une charge transférée à partir d'une ou plusieurs photodiodes (102) ; et un transistor à source suiveuse (210) dont la grille est couplée au noeud de détection et la source est couplée à une ligne de sortie (114) du circuit de pixel par l'intermédiaire d'un transistor de lecture (212), dans lequel le contact de caisson du transistor à source suiveuse est couplé à la ligne de sortie (114).
-
公开(公告)号:FR2955701A1
公开(公告)日:2011-07-29
申请号:FR1050572
申请日:2010-01-28
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor: ROY FRANCOIS , BARBIER FREDERIC
IPC: H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un capteur d'image comprenant : une pluralité de zones de pixel délimitées par des tranchées d'isolement (412), chaque zone de pixel comprenant une photodiode (414, 416) ; une grille de transfert (406) associée à chacune des zones de pixel et agencée pour transférer une charge à partir de la photodiode vers un noeud de lecture (420) ; et un circuit de lecture pour lire la tension sur au moins un des noeuds de lecture, le circuit de lecture comprenant une pluralité de transistors dont au moins un est disposé au moins partiellement au dessus d'une zone de pixel de la pluralité de zones de pixel.
-
公开(公告)号:FR2984608A1
公开(公告)日:2013-06-21
申请号:FR1161869
申请日:2011-12-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: BARBIER FREDERIC
IPC: H01L27/146
-
公开(公告)号:FR2910710A1
公开(公告)日:2008-06-27
申请号:FR0655830
申请日:2006-12-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: BARBIER FREDERIC , CAZAUX YVON
IPC: H01L27/146 , H04N5/359 , H04N5/3745
Abstract: L'invention concerne un dispositif de commande d'un capteur d'images comprenant au moins une cellule photosensible (PIX) comprenant une photodiode (D) adaptée à se décharger dans un noeud de lecture (SN) par l'intermédiaire d'un premier transistor MOS (M4), le noeud de lecture étant relié à la grille d'un deuxième transistor MOS (M2) dont la source est reliée à un système de traitement. Le dispositif comprend un circuit de polarisation (Vclamp, SW) adapté à augmenter le potentiel de ladite source pendant la décharge de la photodiode vers le noeud de lecture.
-
公开(公告)号:FR2969390A1
公开(公告)日:2012-06-22
申请号:FR1060561
申请日:2010-12-15
Inventor: COULON DAVID , DESCHAMPS BENOIT , BARBIER FREDERIC
IPC: H01L31/11
Abstract: Dispositif d'imagerie, comprenant au moins un photosite formé dans un substrat (3) semi-conducteur et équipé d'un dispositif de filtrage d'au moins un rayonnement non désiré. Le dispositif de filtrage comprend des moyens enterrés dans le substrat (3) semi-conducteur à une profondeur dépendant de la longueur d'onde dudit rayonnement non désiré.
-
公开(公告)号:FR2969390B1
公开(公告)日:2014-09-26
申请号:FR1060561
申请日:2010-12-15
Inventor: COULON DAVID , DESCHAMPS BENOIT , BARBIER FREDERIC
IPC: H01L31/11
-
公开(公告)号:FR2982075A1
公开(公告)日:2013-05-03
申请号:FR1159727
申请日:2011-10-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: BARBIER FREDERIC
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
-
公开(公告)号:FR2910710B1
公开(公告)日:2009-03-13
申请号:FR0655830
申请日:2006-12-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: BARBIER FREDERIC , CAZAUX YVON
IPC: H01L27/146 , H04N5/359 , H04N5/3745
-
-
-
-
-
-
-
-
-