公开(公告)号：FR2914783A1

公开(公告)日：2008-10-10

申请号：FR0754226

申请日：2007-04-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： BENSAHEL DANIEL CAMILLE ,  MORAND YVES

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/30

Abstract: Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, comprenant la formation au sein d'un substrat semiconducteur (1) d'au moins une région continue (4) formée d'un matériau présentant une composition non uniforme dans une direction sensiblement perpendiculaire à l'épaisseur du substrat (1).

公开(公告)号：FR2915623A1

公开(公告)日：2008-10-31

申请号：FR0703089

申请日：2007-04-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  INST NAT POLYTECH GRENOBLE

Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE ,  RAUWEL ERWAN YANN ,  COSNIER VINCENT ,  LHOSTIS SANDRINE ,  BENSAHEL DANIEL CAMILLE

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51

Abstract: Un circuit électronique intégré comprend une portion de couche mince à base d'oxyde d'hafnium (1). Selon l'invention, cette portion contient en outre des atomes de magnésium, sous forme d'un oxyde mixte d'hafnium et de magnésium. Une telle portion présente une permittivité diélectrique élevée et un courant de fuite très faible. Elle est particulièrement adaptée pour former une partie d'une couche d'isolation de grille d'un transistor MOS ou une partie d'un diélectrique de condensateur MIM.

公开(公告)号：FR2915623B1

公开(公告)日：2009-09-18

申请号：FR0703089

申请日：2007-04-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  INST NAT POLYTECH GRENOBLE

Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE ,  RAUWEL ERWAN YANN ,  COSNIER VINCENT ,  LHOSTIS SANDRINE ,  BENSAHEL DANIEL CAMILLE

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51

Abstract: The circuit has a hafnium oxide based electrically isolating thin layer portion (1) containing atoms of magnesium under the form of oxide mixing of hafnium and magnesium, where the dielectric permittivity of the thin layer portion is between 30 and 80. The oxide mixing of hafnium and magnesium is amorphous or having cubic or tetragonal or orthorhombique crystalline structure. The portion is constituted of a gate-insulating-layer (13) of a MOS transistor, and separated of a transistor channel (10) by an intermediate layer (2). An independent claim is also included for a method for forming a thin layer containing oxide mixing of hafnium and magnesium on a substrate for manufacturing an integrated electronic circuit.