公开(公告)号：FR2958076B1

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：FR1052110

申请日：2010-03-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FOURNEL RICHARD ,  DODO YVES

IPC: H01L21/768

公开(公告)号：FR2958076A1

公开(公告)日：2011-09-30

申请号：FR1052110

申请日：2010-03-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FOURNEL RICHARD ,  DODO YVES

IPC: H01L21/768

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation de vias traversants (14) reliant la face avant à la face arrière d'un substrat semiconducteur (1), comprenant les étapes suivantes : a) former des ouvertures dans le substrat, b) oxyder thermiquement des parois des ouvertures, c) remplir les ouvertures d'un matériau sacrificiel, d) réaliser des composants électroniques (T1, T2) dans le substrat, e) graver le matériau sacrificiel, f) remplir les ouvertures d'un métal, g) graver la face arrière du substrat jusqu'au niveau du fond des ouvertures.