公开(公告)号：FR3011346A1

公开(公告)日：2015-04-03

申请号：FR1359558

申请日：2013-10-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MANOUVRIER JEAN-ROBERT ,  BOEUF FREDERIC

IPC: G02F1/025

Abstract: L'invention est relative à un déphaseur électro-optique configuré pour être disposé dans un guide d'onde optique (12), comprenant une nervure (WG) en matériau semi-conducteur , agencée dans le prolongement du guide d'onde ; une structure de commande configurée pour modifier la concentration de charges dans la nervure en fonction d'une tension de commande (VC) appliquée entre des première et deuxième bornes de commande (A, C) du déphaseur. La structure de commande comprend une couche conductrice (18-1) couvrant une partie de la nervure et reliée électriquement à une première des bornes de commande (C) ; et une couche d'isolant (20) agencée pour isoler la couche conductrice électriquement de la nervure.

公开(公告)号：FR3019379A1

公开(公告)日：2015-10-02

申请号：FR1452835

申请日：2014-03-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MANOUVRIER JEAN-ROBERT ,  FONTENEAU PASCAL ,  MONTAGNER XAVIER

IPC: H01L31/0352 ,  H01L27/146

Abstract: L'invention concerne une photodiode comprenant : une région de substrat (PPW) de type de conductivité P, une région de recueil de charges électriques (PNW1, PNW2) pour recueillir des charges électriques apparaissant lorsqu'une face arrière de la région de substrat reçoit de la lumière, la région de recueil comportant une région de type de conductivité N (PNW1, PNW2) formée en profondeur dans la région de substrat, une région de lecture (SNN) de type de conductivité N, formée dans la région de substrat, et une grille de transfert (TG1, TG2) isolée, formée dans la région de substrat dans une tranchée isolante (TGI1, TGI2) profonde s'étendant en regard d'une face latérale de la région de type de conductivité N, à côté de la région de lecture, et agencée pour recevoir une tension de grille pour transférer des charges électriques stockées dans la région de recueil vers la région de lecture,

公开(公告)号：FR3019312A1

公开(公告)日：2015-10-02

申请号：FR1452833

申请日：2014-03-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MANOUVRIER JEAN-ROBERT ,  LEMAITRE PATRICK ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS

IPC: G02B6/10 ,  H01L29/74

Abstract: Un guide d'onde optique en matériau semi-conducteur comprend, entre deux parties (16C, 15A) adjacentes du guide, plusieurs bandes parallèles de types de conductivité alternants formant plusieurs jonctions bipolaires en opposition entre les deux parties adjacentes.

公开(公告)号：FR3018390A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：FR1451960

申请日：2014-03-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MANOUVRIER JEAN-ROBERT ,  BATAIL ESTELLE

IPC: H01L23/60 ,  G02B6/12 ,  G02F1/025

Abstract: L'invention est relative à un dispositif de protection d'un composant électro-optique contre les décharges électrostatiques, comprenant un segment de guide d'onde optique en un matériau semi-conducteur formé d'une zone longitudinale centrale (14) d'un premier type de conductivité (P), et de première et deuxième ailes (15, 16) d'un deuxième type de conductivité (N) solidaires de la zone centrale ; une borne d'émetteur (20) sur la première aile, formant une première borne de protection ; une borne de collecteur (21) sur la deuxième aile, formant une deuxième borne de protection ; et une structure de contact résistive (23) du premier type de conductivité (P) ayant un bras transversal solidaire de la zone centrale et une extrémité (25) en contact ohmique avec la borne d'émetteur (20), la structure de contact étant isolée électriquement de la première aile.

公开(公告)号：FR2994002A1

公开(公告)日：2014-01-31

申请号：FR1257344

申请日：2012-07-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MANOUVRIER JEAN-ROBERT

IPC: G06F17/50 ,  G06F17/11 ,  H01L29/861

Abstract: Procédé de détermination d'un modèle mathématique du comportement électrique d'une diode à jonction PN en polarisation inverse, comprenant : - la mesure (1) de la valeur de la tension V présente aux bornes de la diode et de la valeur du courant I correspondant traversant cette diode, ladite diode étant polarisée en inverse et ladite tension V variant dans une plage de valeurs incluant la valeur de la tension d'avalanche V de ladite diode ; - l'établissement (2) d'une représentation de la fonction en fonction de la tension V , à partir desdites valeurs de courant I et de tension V mesurées, I étant le courant de saturation de ladite diode ; - la détermination (3) d'une première fonction affine représentative d'une portion sensiblement linéaire de ladite représentation de ladite fonction , ladite portion étant caractérisée par des tensions V supérieure à la tension d'avalanche V en termes de valeur absolue ; - le calcul (4) d'un facteur de multiplication par avalanche défini par : (-slbv) étant égal à l'ordonnée à l'origine de ladite fonction affine, et (-slbv / bv) étant égal au coefficient directeur de ladite fonction affine.

公开(公告)号：FR2983994B1

公开(公告)日：2014-02-07

申请号：FR1161275

申请日：2011-12-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MANOUVRIER JEAN-ROBERT

IPC: G06F17/50 ,  H01L29/861

公开(公告)号：FR3002654A1

公开(公告)日：2014-08-29

申请号：FR1351675

申请日：2013-02-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MANOUVRIER JEAN-ROBERT

IPC: G02F1/025 ,  G01J9/02

Abstract: L'invention est relative au réglage des conditions de repos d'un modulateur optique à l'aide d'un comparateur de phase optoélectronique fournissant sous forme de signal électrique une mesure du déphasage entre deux ondes optiques. Le comparateur de phase comprend un coupleur directionnel optique (DCO) ayant deux canaux couplés définissant respectivement deux entrées optiques pour recevoir les deux ondes optiques à comparer ; deux photodiodes (PD1, PD2) configurées pour recevoir respectivement les puissances optiques en sortie des deux canaux du coupleur directionnel ; et un circuit électrique (10) agencé pour fournir, comme mesure du déphasage optique, un signal électrique proportionnel à la différence des signaux électriques produits par les deux photodiodes.

公开(公告)号：FR2998980A1

公开(公告)日：2014-06-06

申请号：FR1261496

申请日：2012-11-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MANOUVRIER JEAN-ROBERT

IPC: G02F1/025

Abstract: L'invention est relative à un modèle de simulation pour un modulateur optique, le modulateur comprenant un déphaseur optique en un matériau semi-conducteur, configuré pour être disposé entre deux tronçons d'un guide d'onde optique ; et une jonction P-N ou P-I-N formée dans le déphaseur dans un plan parallèle à l'axe du guide d'onde. Le modèle de modulateur comprend un modèle de diode (30) caractérisant le comportement électrique de la jonction. La variation de l'indice de réfraction global (An) du déphaseur est exprimée proportionnellement à la quantité de charges (Nd, Ni) présentes dans la zone de jonction, déterminée à partir du modèle de diode, élevée à une puissance, le coefficient de proportionnalité et la puissance étant des valeurs empiriques fonction du matériau semi-conducteur et de la longueur d'onde.

公开(公告)号：FR2983994A1

公开(公告)日：2013-06-14

申请号：FR1161275

申请日：2011-12-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MANOUVRIER JEAN-ROBERT

IPC: G06F17/50 ,  H01L29/861

Abstract: On utilise pour modéliser la diode un modèle compact comprenant une modélisation de la résistance de caisson (RSM) pour des valeurs négatives dudit courant par une courbe (CV) croissant de façon abrupte depuis une valeur de résistance initiale (R ) correspondant à une valeur de courant nulle jusqu'à un palier (R ).

公开(公告)号：FR3005755A1

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：FR1354462

申请日：2013-05-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MANOUVRIER JEAN-ROBERT

IPC: G02F1/025

Abstract: L'invention est relative à un déphaseur électro-optique statique en matériau semi-conducteur comprenant une zone centrale (I1, I2) ayant un niveau de dopage minimal ; des première et deuxième zones latérales (N+, P+) encadrant la zone centrale selon un premier axe, dopées respectivement N et P, de manière à former une jonction P-I-N entre les première et deuxième zones latérales. La zone centrale comprend des première et deuxième zones d'action optique (I1, I2) écartées selon le premier axe. La deuxième zone latérale est dopée de manière discontinue selon un deuxième axe perpendiculaire au premier axe. Le déphaseur comprend deux bornes de commande électrique (A, C), l'une en contact avec la première zone latérale, et l'autre en contact avec les parties dopées de la deuxième zone latérale.