公开(公告)号：DE69840823D1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：DE69840823

申请日：1998-03-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： TIZIANI ROBERTO ,  CREMA PAOLO ,  MANTOVANI MARCO

IPC: H05K1/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/433

公开(公告)号：ITTO20110995A1

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：ITTO20110995

申请日：2011-10-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： AZPEITIA URQUIA MIKEL ,  CAMPEDELLI ROBERTO ,  LOSA STEFANO ,  MANTOVANI MARCO ,  PEZZUTO RAFFAELLA

公开(公告)号：DE112012004560T5

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：DE112012004560

申请日：2012-10-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： CAMPEDELLI ROBERTO ,  PEZZUTO RAFFAELLA ,  LOSA STEFANO ,  MANTOVANI MARCO ,  AZPEITIA URQUIA MIKEL

IPC: B81B7/00 ,  B81B3/00

Abstract: Eine MEMS-Vorrichtung (17) ist gebildet aus einem Körper (2); einem Hohlraum (25), der sich über dem Körper erstreckt; beweglichen und feststehenden Strukturen (18, 19) die sich über dem Hohlraum erstrecken und mit dem Körper über Verankerungsbereiche (16) in physischer Verbindung stehen; und elektrischen Verbindungsbereichen (10a, 10b, 10c), die sich zwischen dem Körper (2) und den Verankerungsbereichen (16) erstrecken und mit den beweglichen und den feststehenden Strukturen (18, 19) in elektrischer Verbindung stehen. Die elektrischen Verbindungsbereiche (10a, 10b, 10c) sind durch eine leitfähige mehrlagige Struktur gebildet, die eine erste Schicht (5) aus Halbleitermaterial, eine Verbundschicht (6) aus einer binären Verbindung des Halbleitermaterials und einem Übergangsmetall sowie eine zweite Schicht (7) aus Halbleitermaterial aufweist.

公开(公告)号：ITTO20080980A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：ITTO20080980

申请日：2008-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： GALEAZZI ERNESTINO ,  MANTOVANI MARCO ,  MERASSI ANGELO ANTONIO ,  PESCI ANGELO ,  VIGNA BENEDETTO