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    METHOD FOR MANUFACTURING A PROTECTIVE LAYER AGAINST HF ETCHING, SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH THE PROTECTIVE LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE
    1.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING A PROTECTIVE LAYER AGAINST HF ETCHING, SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH THE PROTECTIVE LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    用于制造抗蚀层的保护层的方法，用保护层提供的半导体器件及制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：WO2013061313A8

    公开(公告)日：2013-08-01

    申请号：PCT/IB2012055982

    申请日：2012-10-29

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

    Inventor： LOSA STEFANO ,  PEZZUTO RAFFAELLA ,  CAMPEDELLI ROBERTO ,  AZPEITIA URQUIA MIKEL ,  PERLETTI MATTEO ,  ESPOSITO LUIGI

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: H01L21/02178 ,  B81B7/0032 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/053 ,  H01L21/0228

    Abstract: A method for manufacturing a protective layer (25) for protecting an intermediate structural layer (22) against etching with hydrofluoric acid (HF), the intermediate structural layer (22) being made of a material that can be etched or damaged by hydrofluoric acid, the method comprising the steps of: forming a first layer of aluminium oxide, by atomic layer deposition, on the intermediate structural layer (22); performing a thermal crystallization process on the first layer of aluminium oxide, forming a first intermediate protective layer (25a),- forming a second layer of aluminium oxide, by atomic layer deposition, above the first intermediate protective layer; and performing a thermal crystallisation process on the second layer of aluminium oxide, forming a second intermediate protective layer (25b) and thereby completing the formation of the protective layer (25). The method for forming the protective layer (25) can be used, for example, during the manufacturing steps of an inertial sensor such as a gyroscope or an accelerometer.

    Abstract translation: 一种制造用于保护中间结构层（22）以防止用氢氟酸（HF）蚀刻的保护层（25）的方法，所述中间结构层（22）由可被氢氟酸蚀刻或损坏的材料制成， 该方法包括以下步骤：通过原子层沉积在中间结构层（22）上形成第一氧化铝层; 在第一氧化铝层上进行热结晶处理，形成第一中间保护层（25a）， - 通过原子层沉积形成第二层氧化铝，在第一中间保护层上方; 以及对所述第二氧化铝层进行热结晶处理，形成第二中间保护层（25b），从而完成所述保护层（25）的形成。 形成保护层（25）的方法可以用于例如陀螺仪或加速度计等惯性传感器的制造步骤。

    Verfahren zur Herstellung einer Schutzschicht gegen HF-Ätzen, mit der Schutzschicht ausgestattete Halbleitervorrichtung, und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung
    2.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Schutzschicht gegen HF-Ätzen, mit der Schutzschicht ausgestattete Halbleitervorrichtung, und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE112012004523T5

    公开(公告)日：2014-08-14

    申请号：DE112012004523

    申请日：2012-10-29

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

    Inventor： LOSA STEFANO ,  PEZZUTO RAFFAELLA ,  CAMPEDELLI ROBERTO ,  PERLETTI MATTEO ,  ESPOSITO LUIGI ,  AZPEITIA URQUIA MIKEL

    IPC: B81C1/00

    Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Schutzschicht (25) zum Schützen einer Zwischen-Strukturschicht (22) gegen Ätzen mit Fluorwasserstoffsäure (HF), wobei die Zwischen-Strukturschicht (22) aus einem Material hergestellt ist, das durch Fluorwasserstoffsäure geätzt oder beschädigt werden kann, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Ausbilden einer ersten Schicht aus Aluminiumoxid, durch Atomlagenabscheidung, auf der Zwischen-Strukturschicht (22); Durchführen eines thermischen Kristallisationsverfahrens an der ersten Schicht aus Aluminiumoxid, wobei eine erste Zwischen-Schutzschicht (25a) gebildet wird, Ausbilden einer zweiten Schicht aus Aluminiumoxid, durch Atomlagenabscheidung, über der ersten Zwischen-Schutzschicht; und Durchführen eines thermischen Kristallisationsverfahrens an der zweiten Schicht aus Aluminiumoxid, wobei eine zweite Zwischen-Schutzschicht (25b) gebildet wird, und dadurch Vollenden der Bildung der Schutzschicht (25). Das Verfahren zur Ausbildung der Schutzschicht (25) kann, beispielsweise, während der Herstellungsschritte eines Inertialsensors wie eines Gyroskops oder eines Beschleunigungssensors verwendet werden.

    Mikroelektromechanische Vorrichtung mit vergrabenen leitfähigen Bereichen sowie Verfahren zum Herstellen derselben
    3.
    发明专利
    Mikroelektromechanische Vorrichtung mit vergrabenen leitfähigen Bereichen sowie Verfahren zum Herstellen derselben 未知

    公开(公告)号：DE112012004560T5

    公开(公告)日：2014-08-14

    申请号：DE112012004560

    申请日：2012-10-30

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

    Inventor： CAMPEDELLI ROBERTO ,  PEZZUTO RAFFAELLA ,  LOSA STEFANO ,  MANTOVANI MARCO ,  AZPEITIA URQUIA MIKEL

    IPC: B81B7/00 ,  B81B3/00

    Abstract: Eine MEMS-Vorrichtung (17) ist gebildet aus einem Körper (2); einem Hohlraum (25), der sich über dem Körper erstreckt; beweglichen und feststehenden Strukturen (18, 19) die sich über dem Hohlraum erstrecken und mit dem Körper über Verankerungsbereiche (16) in physischer Verbindung stehen; und elektrischen Verbindungsbereichen (10a, 10b, 10c), die sich zwischen dem Körper (2) und den Verankerungsbereichen (16) erstrecken und mit den beweglichen und den feststehenden Strukturen (18, 19) in elektrischer Verbindung stehen. Die elektrischen Verbindungsbereiche (10a, 10b, 10c) sind durch eine leitfähige mehrlagige Struktur gebildet, die eine erste Schicht (5) aus Halbleitermaterial, eine Verbundschicht (6) aus einer binären Verbindung des Halbleitermaterials und einem Übergangsmetall sowie eine zweite Schicht (7) aus Halbleitermaterial aufweist.

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