公开(公告)号：ITUB20160027A1

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：ITUB20160027

申请日：2016-02-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： PALEARI ANDREA ,  MILANI ANTONELLA ,  GUARINO LUCREZIA ,  RONCHI FEDERICA

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

公开(公告)号：DE102016118655A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：DE102016118655

申请日：2016-09-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： GUARINO LUCREZIA ,  MILANI ANTONELLA ,  PALEARI ANDREA ,  RONCHI FEDERICA

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: In einer Ausführungsform weist ein Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen, die Metallisierungen (36, 38, 40) mit peripheren Abschnitten aufweisen, wobei mindestens eine unterliegende Schicht (20, 24) Randbereiche aufweist, die sich den peripheren Abschnitten zugewandt erstrecken, auf: – Bereitstellen einer Opferschicht (26) zum Bedecken der Randbereiche der unterliegenden Schicht (20, 24), – Bereitstellen der Metallisierungen (36, 38, 40), während die Randbereiche der unterliegenden Schicht (20, 24) von der Opferschicht (26) bedeckt sind, und – Entfernen der Opferschicht (26), so dass die Randbereiche der unterliegenden Schicht (20, 24) sich den peripheren Abschnitten ohne eine Kontaktgrenzfläche dazwischen zugewandt erstrecken, wodurch thermomechanische Belastungen vermieden werden.