公开(公告)号：DE102016118655A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：DE102016118655

申请日：2016-09-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： GUARINO LUCREZIA ,  MILANI ANTONELLA ,  PALEARI ANDREA ,  RONCHI FEDERICA

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: In einer Ausführungsform weist ein Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen, die Metallisierungen (36, 38, 40) mit peripheren Abschnitten aufweisen, wobei mindestens eine unterliegende Schicht (20, 24) Randbereiche aufweist, die sich den peripheren Abschnitten zugewandt erstrecken, auf: – Bereitstellen einer Opferschicht (26) zum Bedecken der Randbereiche der unterliegenden Schicht (20, 24), – Bereitstellen der Metallisierungen (36, 38, 40), während die Randbereiche der unterliegenden Schicht (20, 24) von der Opferschicht (26) bedeckt sind, und – Entfernen der Opferschicht (26), so dass die Randbereiche der unterliegenden Schicht (20, 24) sich den peripheren Abschnitten ohne eine Kontaktgrenzfläche dazwischen zugewandt erstrecken, wodurch thermomechanische Belastungen vermieden werden.

公开(公告)号：ITUB20160251A1

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：ITUB20160251

申请日：2016-02-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： COLPANI PAOLO ,  MILANI ANTONELLA ,  GUARINO LUCREZIA ,  PALEARI ANDREA

IPC: H01L23/522

公开(公告)号：IT201700061101A1

公开(公告)日：2018-12-05

申请号：IT201700061101

申请日：2017-06-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： GUARINO LUCREZIA ,  MILANI ANTONELLA

公开(公告)号：DE102016118653A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：DE102016118653

申请日：2016-09-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： COLPANI PAOLO ,  MILANI ANTONELLA ,  GUARINO LUCREZIA ,  PALEARI ANDREA

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/50

Abstract: In einer Ausführungsform weist eine Halbleitervorrichtung eine oder mehrere Metallisierungen (10), beispielsweise Cu-RDL-Metallisierungen, auf, die auf einer Passivierungsschicht (12) über einer dielektrischen Schicht (22) vorgesehen sind. Ein Durchgangsloch (16) durch die Passivierungsschicht (12) und die elektrische Schicht (22) ist in der Nachbarschaft der Ecken (10a, 10b) der Metallisierung vorgesehen. Dieses Durchgangsloch kann ein „Dummy”-Durchgangsloch ohne elektrische Verbindungen zu einer aktiven Vorrichtung sein und kann mit einem Abstand zwischen circa 1 Mikrometer (10–6 m.) und circa 10 Mikrometer (10–5 m.) von jeder der zusammenlaufenden Seiten (10b) vorgesehen sein und auf eine unterliegende Mittelschicht (24) auftreffen.

公开(公告)号：ITUB20160027A1

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：ITUB20160027

申请日：2016-02-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： PALEARI ANDREA ,  MILANI ANTONELLA ,  GUARINO LUCREZIA ,  RONCHI FEDERICA

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532