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公开(公告)号：FR3009129A1
公开(公告)日：2015-01-30
申请号：FR1357407
申请日：2013-07-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED , LADROUE JULIEN , GOSSET NICOLAS
IPC: H01L21/3065 , H01L29/872
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant électronique dans et sur une couche (3) de nitrure de gallium, comportant une étape d'amincissement d'une portion de ladite couche (3) par usinage ionique.
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