公开(公告)号：FR2897201A1

公开(公告)日：2007-08-10

申请号：FR0600970

申请日：2006-02-03

Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES SAS

Inventor： WACQUEZ ROMAIN ,  CORONEL PHILIPPE ,  LENOBLE DAMIEN ,  CERUTTI ROBIN ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Dispositif de transistor planaire 4 à doubles grilles indépendantes, comprenant une première et une deuxième grilles 6a, 6b, un canal semi-conducteur 14 disposé entre les grilles et comprenant un premier matériau, et une zone diélectrique 20, 21 disposée entre les grilles, délimitant le canal semi-conducteur 14 et comprenant un oxyde du premier matériau et procédé de fabrication.

公开(公告)号：FR2918211A1

公开(公告)日：2009-01-02

申请号：FR0704568

申请日：2007-06-26

Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES SAS ,  IMEC INTER UNI MICRO ELECTR

Inventor： LENOBLE DAMIEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: La réalisation d'un transistor à effet de champ de type finFET (T1) au sein d'un circuit électronique intégré comprend la formation d'une jonction électrique (J1) entre la portion étroite de matériau semiconducteur qui forme le canal (11) du transistor et le substrat du circuit (100). Des particules dopantes sont implantées dans le substrat à travers un masque qui est utilisé ensuite pour former la portion étroite du canal. Le canal du transistor finFET est ainsi isolé électriquement par rapport au substrat du circuit de la même façon que dans les circuits électroniques intégrés MOS qui sont réalisés à partir de substrats de silicium massifs.

公开(公告)号：FR2897201B1

公开(公告)日：2008-04-25

申请号：FR0600970

申请日：2006-02-03

Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES SAS

Inventor： WACQUEZ ROMAIN ,  CORONEL PHILIPPE ,  LENOBLE DAMIEN ,  CERUTTI ROBIN ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: A planar transistor device includes two independent gates (a first and second gates) along with a semiconductor channel lying between the gates. The semiconductor channel is formed of a first material. The channel includes opposed ends comprising dielectric zone with a channel region positioned between the gates. The dielectric zones comprises an oxide of the first material.