公开(公告)号：FR2897201B1

公开(公告)日：2008-04-25

申请号：FR0600970

申请日：2006-02-03

Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES SAS

Inventor： WACQUEZ ROMAIN ,  CORONEL PHILIPPE ,  LENOBLE DAMIEN ,  CERUTTI ROBIN ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: A planar transistor device includes two independent gates (a first and second gates) along with a semiconductor channel lying between the gates. The semiconductor channel is formed of a first material. The channel includes opposed ends comprising dielectric zone with a channel region positioned between the gates. The dielectric zones comprises an oxide of the first material.

公开(公告)号：FR2897201A1

公开(公告)日：2007-08-10

申请号：FR0600970

申请日：2006-02-03

Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES SAS

Inventor： WACQUEZ ROMAIN ,  CORONEL PHILIPPE ,  LENOBLE DAMIEN ,  CERUTTI ROBIN ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Dispositif de transistor planaire 4 à doubles grilles indépendantes, comprenant une première et une deuxième grilles 6a, 6b, un canal semi-conducteur 14 disposé entre les grilles et comprenant un premier matériau, et une zone diélectrique 20, 21 disposée entre les grilles, délimitant le canal semi-conducteur 14 et comprenant un oxyde du premier matériau et procédé de fabrication.