公开(公告)号：EP1396882A3

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：EP03292012.6

申请日：2003-08-11

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Bustos, Jessy ,  Coronel, Philippe ,  Regnier, Christophe ,  Wacquant, Francois ,  Tavel, Brice ,  Skotnicki, Thomas

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545

Abstract: Un procédé de réalisation d'un composant électronique comprend le recouvrement d'un substrat (100) par une portion (P) délimitant avec le substrat un volume (V) rempli au moins partiellement d'un matériau temporaire, l'évacuation du matériau temporaire par une cheminée (C) d'accès audit volume, et le dépôt d'un matériau de remplissage (7) dans ledit volume à partir de précurseurs amenés par la cheminée. Le procédé est particulièrement adapté pour la réalisation d'une grille d'un transistor de type MOS. Dans ce cas, le matériau de remplissage est conducteur, et un matériau isolant électrique de revêtement (8) peut aussi être déposé dans ledit volume avant le matériau de remplissage conducteur.

公开(公告)号：EP1396882A2

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：EP03292012.6

申请日：2003-08-11

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Bustos, Jessy ,  Coronel, Philippe ,  Regnier, Christophe ,  Wacquant, Francois ,  Tavel, Brice ,  Skotnicki, Thomas

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545

Abstract: Un procédé de réalisation d'un composant électronique comprend le recouvrement d'un substrat (100) par une portion (P) délimitant avec le substrat un volume (V) rempli au moins partiellement d'un matériau temporaire, l'évacuation du matériau temporaire par une cheminée (C) d'accès audit volume, et le dépôt d'un matériau de remplissage (7) dans ledit volume à partir de précurseurs amenés par la cheminée. Le procédé est particulièrement adapté pour la réalisation d'une grille d'un transistor de type MOS. Dans ce cas, le matériau de remplissage est conducteur, et un matériau isolant électrique de revêtement (8) peut aussi être déposé dans ledit volume avant le matériau de remplissage conducteur.

Abstract translation: 生产的电子部件的besteht的：与基片的体积（V）的限定（a）用的部分（P）覆盖的基板（100）的表面（S）至少部分填充有临时材料; （B）由一轴（C）抽空从卷临时材料的体积之间以及访问表面延伸; （C）在导电填充引入材料（7）进入从一些前体经由轴供给的体积。 因此独立权利要求中包括了：（1）与由该方法制造的栅极的场效应晶体管; （2）电子设备结合这样的晶体管。