公开(公告)号：EP1396882A3

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：EP03292012.6

申请日：2003-08-11

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Bustos, Jessy ,  Coronel, Philippe ,  Regnier, Christophe ,  Wacquant, Francois ,  Tavel, Brice ,  Skotnicki, Thomas

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545

Abstract: Un procédé de réalisation d'un composant électronique comprend le recouvrement d'un substrat (100) par une portion (P) délimitant avec le substrat un volume (V) rempli au moins partiellement d'un matériau temporaire, l'évacuation du matériau temporaire par une cheminée (C) d'accès audit volume, et le dépôt d'un matériau de remplissage (7) dans ledit volume à partir de précurseurs amenés par la cheminée. Le procédé est particulièrement adapté pour la réalisation d'une grille d'un transistor de type MOS. Dans ce cas, le matériau de remplissage est conducteur, et un matériau isolant électrique de revêtement (8) peut aussi être déposé dans ledit volume avant le matériau de remplissage conducteur.

公开(公告)号：EP1463102A2

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：EP04290693.3

申请日：2004-03-15

Applicant: STMicroelectronics S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： Carrière, Nicolas ,  Skotnicki, Thomas ,  Tavel, Brice

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/66507 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545

Abstract: La phase de siliciuration du transistor comporte la formation à partir d'un premier métal (8) d'un premier siliciure de métal (80) sur les régions de drain et de source tandis que la région de grille (30) est protégée par une couche de masque dur (40), le retrait du masque dur, la formation à partir d'un deuxième métal (9) d'un deuxième siliciure de métal (90) sur la région de grille tandis que le premier siliciure de métal (80) est protégé par le deuxième métal (9), et le retrait du deuxième métal (9).

Abstract translation: 晶体管的金属栅极的制造包括栅极区域的总硅化。 硅化阶段包括：（a）从第一区上的第一金属硅化物的第一金属形成，而第二区由硬掩模层保护; （b）去除面罩; （c）在第二区上由第二金属硅化物的第二金属形成，而第一金属硅化物被第二金属保护; 和（d）去除第二金属。 还包括一种独立的权利要求，用于集成了通过该方法制造的至少一个晶体管的集成电路。

公开(公告)号：EP1463102A3

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：EP04290693.3

申请日：2004-03-15

Applicant: STMicroelectronics S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： Carrière, Nicolas ,  Skotnicki, Thomas ,  Tavel, Brice

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66507 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545

Abstract: La phase de siliciuration du transistor comporte la formation à partir d'un premier métal (8) d'un premier siliciure de métal (80) sur les régions de drain et de source tandis que la région de grille (30) est protégée par une couche de masque dur (40), le retrait du masque dur, la formation à partir d'un deuxième métal (9) d'un deuxième siliciure de métal (90) sur la région de grille tandis que le premier siliciure de métal (80) est protégé par le deuxième métal (9), et le retrait du deuxième métal (9).

公开(公告)号：EP1396882A2

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：EP03292012.6

申请日：2003-08-11

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Bustos, Jessy ,  Coronel, Philippe ,  Regnier, Christophe ,  Wacquant, Francois ,  Tavel, Brice ,  Skotnicki, Thomas

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545

Abstract: Un procédé de réalisation d'un composant électronique comprend le recouvrement d'un substrat (100) par une portion (P) délimitant avec le substrat un volume (V) rempli au moins partiellement d'un matériau temporaire, l'évacuation du matériau temporaire par une cheminée (C) d'accès audit volume, et le dépôt d'un matériau de remplissage (7) dans ledit volume à partir de précurseurs amenés par la cheminée. Le procédé est particulièrement adapté pour la réalisation d'une grille d'un transistor de type MOS. Dans ce cas, le matériau de remplissage est conducteur, et un matériau isolant électrique de revêtement (8) peut aussi être déposé dans ledit volume avant le matériau de remplissage conducteur.

Abstract translation: 生产的电子部件的besteht的：与基片的体积（V）的限定（a）用的部分（P）覆盖的基板（100）的表面（S）至少部分填充有临时材料; （B）由一轴（C）抽空从卷临时材料的体积之间以及访问表面延伸; （C）在导电填充引入材料（7）进入从一些前体经由轴供给的体积。 因此独立权利要求中包括了：（1）与由该方法制造的栅极的场效应晶体管; （2）电子设备结合这样的晶体管。