公开(公告)号：EP1494287A1

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：EP04291637.9

申请日：2004-06-29

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Jacquet, François ,  Candellier, Philippe ,  Cerutti, Robin ,  Coronel, Philippe ,  Mazoyer, Pascale

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0688 ,  G11C11/405 ,  H01L27/108

Abstract: Un élément intégré de mémoire dynamique à accès aléatoire comprend deux cellules (C0, C1) pour le stockage de deux bits respectifs, une zone de source (102) et une zone de drain (103). Chaque cellule comprend un transistor à effet de champ ayant une grille (4, 14) et une portion intermédiaire (1, 11). Chaque transistor comprend en outre une source (2, 12), un drain (3, 13) et un canal (1c, 11c) disposés respectivement dans la zone de source, la zone de drain et la portion intermédiaire (1, 11). L'élément comprend une électrode de polarisation (24) disposée entre les portions intermédiaires (1, 11) respectives des deux transistors, l'électrode de polarisation étant couplée de façon capacitive avec la portion intermédiaire de chaque transistor.

Abstract translation: 该单元具有用于存储两个独立位的一对单元（C1，C2），并且分别包括具有栅格（4,14）的场效应晶体管。 通道布置在源极区（102）中，并且两个晶体管布置在源极区和漏极区之间。 单极化电极（24）布置在两个晶体管的中间部分（1,11）之间。 还包括用于在基板的表面上制造集成DRAM的方法的独立权利要求。