公开(公告)号：EP1494287A1

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：EP04291637.9

申请日：2004-06-29

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Jacquet, François ,  Candellier, Philippe ,  Cerutti, Robin ,  Coronel, Philippe ,  Mazoyer, Pascale

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0688 ,  G11C11/405 ,  H01L27/108

Abstract: Un élément intégré de mémoire dynamique à accès aléatoire comprend deux cellules (C0, C1) pour le stockage de deux bits respectifs, une zone de source (102) et une zone de drain (103). Chaque cellule comprend un transistor à effet de champ ayant une grille (4, 14) et une portion intermédiaire (1, 11). Chaque transistor comprend en outre une source (2, 12), un drain (3, 13) et un canal (1c, 11c) disposés respectivement dans la zone de source, la zone de drain et la portion intermédiaire (1, 11). L'élément comprend une électrode de polarisation (24) disposée entre les portions intermédiaires (1, 11) respectives des deux transistors, l'électrode de polarisation étant couplée de façon capacitive avec la portion intermédiaire de chaque transistor.

Abstract translation: 该单元具有用于存储两个独立位的一对单元（C1，C2），并且分别包括具有栅格（4,14）的场效应晶体管。 通道布置在源极区（102）中，并且两个晶体管布置在源极区和漏极区之间。 单极化电极（24）布置在两个晶体管的中间部分（1,11）之间。 还包括用于在基板的表面上制造集成DRAM的方法的独立权利要求。

公开(公告)号：EP1804250A1

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：EP06292033.5

申请日：2006-12-22

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Dray, Cyrille ,  Jacquet, François

IPC: G11C11/419

CPC classification number: G11C11/413 ,  G11C7/12

Abstract: L'invention concerne un dispositif, ainsi qu'un procédé de mise en oeuvre correspondant, de stockage d'informations à mémoires SRAM, alimenté par une tension VDD et comprenant:
- une matrice de cellules de base organisées en colonnes de base, et
- au moins une colonne miroir de cellules miroir, susceptibles de simuler le comportement des cellules d'une colonne de base,
L'invention est caractérisée en ce que le dispositif comprend en outre :
- Des moyens d'émulation, dans une colonne miroir, de la cellule la plus contraignante d'une colonne de base,
- Des moyens de variation de la tension d'alimentation miroir (VDDMMOCK) de la colonne miroir, et
- Des moyens pour recopier la tension d'alimentation miroir dans la colonne de base émulée.

Abstract translation: 该装置具有变化单元变化对选定的用于存储信息的基本单元的基座柱的电源电压（VDDM）。 变化单元具有仿真单元，用于仿真，在镜子柱包括通过写基列包括所选择的基本单元设置有内部节点（BLTiMOCK，BLFiMOCK），限制性细胞的反射镜单元。 P沟道金属氧化物半导体允许以改变反射镜列的镜电源电压（VDDMMOCK）。 镜供给电压在基准列包括所选择的基本单元重新复制。 因此独立claimsoft包括用于实现信息存储装置的方法。

公开(公告)号：EP1804250B1

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：EP06292033.5

申请日：2006-12-22

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Dray, Cyrille ,  Jacquet, François ,  Barasinski, Sébastien

IPC: G11C11/419

CPC classification number: G11C11/413 ,  G11C7/12

公开(公告)号：EP0996064B1

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：EP99410133.5

申请日：1999-10-13

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Ferrant, Richard ,  Jacquet, François

IPC: G06F11/20 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C29/789 ,  G11C16/0433