公开(公告)号：EP1304734A2

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：EP02292537.4

申请日：2002-10-15

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Marty, Michel ,  Leverd, François ,  Coronel, Philippe ,  Torres, Joaquin

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/764

Abstract: Il s'agit d'une tranchée d'isolement creusée dans un substrat semi-conducteur (1) comportant des flancs (2) et un fond (3). Sur les flancs (2) sont rapportés des espaceurs (7) en vis à vis, ils visent à créer un canal (14) réduit entre les flancs (2). Le fond (3) et les espaceurs (7) sont tapissés d'un matériau électriquement isolant (8) délimitant une cavité vide fermée (9).
Application à la fabrication de circuits intégrés.

公开(公告)号：EP1304734A3

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：EP02292537.4

申请日：2002-10-15

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Marty, Michel ,  Leverd, François ,  Coronel, Philippe ,  Torres, Joaquin

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/764

Abstract: Il s'agit d'une tranchée d'isolement creusée dans un substrat semi-conducteur (1) comportant des flancs (2) et un fond (3). Sur les flancs (2) sont rapportés des espaceurs (7) en vis à vis, ils visent à créer un canal (14) réduit entre les flancs (2). Le fond (3) et les espaceurs (7) sont tapissés d'un matériau électriquement isolant (8) délimitant une cavité vide fermée (9).
Application à la fabrication de circuits intégrés.

Abstract translation: 在包含一些壁（2）和底部（3）的半导体衬底（1）中的中空绝缘沟槽包括一些在壁上相对地构成的间隔物（7），以在壁之间形成小的通道（14） 。 间隔件和底部覆盖有限定封闭的空腔（9）的电绝缘材料（8）。 <？>独立权利要求也包括在内：（a）包含这种绝缘沟槽的集成电路; （b）在半导体衬底中制造这种绝缘沟槽的方法。