公开(公告)号：EP1304734A3

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：EP02292537.4

申请日：2002-10-15

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Marty, Michel ,  Leverd, François ,  Coronel, Philippe ,  Torres, Joaquin

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/764

Abstract: Il s'agit d'une tranchée d'isolement creusée dans un substrat semi-conducteur (1) comportant des flancs (2) et un fond (3). Sur les flancs (2) sont rapportés des espaceurs (7) en vis à vis, ils visent à créer un canal (14) réduit entre les flancs (2). Le fond (3) et les espaceurs (7) sont tapissés d'un matériau électriquement isolant (8) délimitant une cavité vide fermée (9).
Application à la fabrication de circuits intégrés.

Abstract translation: 在包含一些壁（2）和底部（3）的半导体衬底（1）中的中空绝缘沟槽包括一些在壁上相对地构成的间隔物（7），以在壁之间形成小的通道（14） 。 间隔件和底部覆盖有限定封闭的空腔（9）的电绝缘材料（8）。 <？>独立权利要求也包括在内：（a）包含这种绝缘沟槽的集成电路; （b）在半导体衬底中制造这种绝缘沟槽的方法。

公开(公告)号：EP1321430A1

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：EP02292916.0

申请日：2002-11-25

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Farcy, Alexis ,  Coronel, Philippe ,  Ancey, Pascal ,  Torres, Joaquin

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/0023 ,  B29C2043/5825

Abstract: La fabrication d'un circuit intégré comporte une première phase de réalisation d'une puce électronique et une deuxième phase de réalisation d'au moins un composant auxiliaire disposé au-dessus de la puce et d'un capot protecteur recouvrant le composant auxiliaire. Selon un mode de mise en oeuvre, la première phase de réalisation de la puce PC s'effectue à partir d'un premier substrat semiconducteur et comporte la formation d'une cavité CV située dans une zone choisie de la puce et débouchant au niveau de la surface supérieure de la puce. La deuxième phase de réalisation comporte la réalisation du composant auxiliaire CAX à partir d'un deuxième substrat semiconducteur SB2, distinct du premier, puis le placement dans ladite cavité, du composant auxiliaire supporté par le deuxième substrat SB2, et l'adhésion mutuelle du deuxième substrat sur la surface supérieure de la puce située à l'extérieur de ladite cavité, le deuxième substrat SB2 formant alors également ledit capot protecteur.

Abstract translation: 该电路包括支撑所述电子电路中的第一半导体衬底，并进行上机电元件的第二基板。 两个基底粘合在一起形成用于辅助成分的密封和保护外壳。 制造的第一阶段包括形成第一衬底内的半导体芯片（PC），并且在上表面上形成空腔的这个基片，以适应于辅助成分。 甲壁仍然围绕腔，留下所述空腔为好。 第二阶段包括在第二半导体基板（SB2），从所述第一分开形成的所述辅助部件（CAX）的。 然后，第二基片被翻转并施加于第一基板与所述辅助部件悬挂在第一衬底的空腔中的盖子。 两个基底粘合在一起形成用于辅助成分的密封和保护外壳。

公开(公告)号：EP1304734A2

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：EP02292537.4

申请日：2002-10-15

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Marty, Michel ,  Leverd, François ,  Coronel, Philippe ,  Torres, Joaquin

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/764

Abstract: Il s'agit d'une tranchée d'isolement creusée dans un substrat semi-conducteur (1) comportant des flancs (2) et un fond (3). Sur les flancs (2) sont rapportés des espaceurs (7) en vis à vis, ils visent à créer un canal (14) réduit entre les flancs (2). Le fond (3) et les espaceurs (7) sont tapissés d'un matériau électriquement isolant (8) délimitant une cavité vide fermée (9).
Application à la fabrication de circuits intégrés.

公开(公告)号：EP1146550A3

公开(公告)日：2002-01-16

申请号：EP01400287.7

申请日：2001-02-06

Applicant: STMicroelectronics S.A. ,  Koninklijke Philips Electronics N.V.

Inventor： Kordic, Srdjan ,  Torres, Joaquin ,  Motte, Pascale ,  Descouts, Brigitte

IPC: H01L21/285

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Le procédé comprend une phase de réalisation, à un niveau de métallisation prédéterminé, d'au moins une piste métallique 7 au sein d'un matériau diélectrique inter-pistes 1 comportant une gravure du matériau diélectrique inter-pistes 1 de façon à former une cavité 4 à l'endroit de ladite piste, le dépôt dans la cavité d'une couche-barrière conductrice 5, le remplissage de la cavité par du cuivre et le dépôt sur le niveau de métallisation prédéterminé d'une couche de nitrure de silicium 8. Entre l'étape de dépôt de la couche-barrière et l'étape de remplissage par le cuivre, on dépose du titane sur une partie au moins de la couche-barrière. Ce titane se transformera en TiSi 2 (60) lors de la diffusion du silicium de la couche de nitrure de silicium 8.