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Patent Agency Ranking1.发明授权Charge injection circuit for an insulated gate MOS transistor and computing devices using the same 失效电荷注入电路，用于与使用该电路的绝缘栅和计算装置的MOS晶体管
公开(公告)号：EP0833267B1
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：EP96830492.3
申请日：1996-09-30
Applicant: STMicroelectronics S.r.l.
Inventor： Kramer, Alan , Canegallo, Roberto , Rolandi, Pier Luigi , Chinosi, Mauro , Gozzini, Giovanni , Sabatini, Marco
CPC classification number: G11C16/0441 , G06G7/26 , G06N3/0635
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2.发明授权
公开(公告)号：EP0833454B1
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：EP96830491.5
申请日：1996-09-30
Applicant: STMicroelectronics S.r.l.
Inventor： Kramer, Alan , Canegallo, Roberto , Chinosi, Mauro , Gozzini, Giovanni , Rolandi, Pier Luigi , Sabatini, Marco
IPC: H03M1/74
CPC classification number: H03M1/74
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公开(公告)号：EP0837378B1
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：EP97203126.4
申请日：1997-10-08
Applicant: STMicroelectronics S.r.l.
Inventor： Olivieri, Massimiliano , Fabbrizio, Vito , Guerrieri, Roberto , Kramer, Alan
CPC classification number: G05D1/0246 , G05D2201/0213
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公开(公告)号：EP0768610B1
公开(公告)日：2000-08-09
申请号：EP95830433.9
申请日：1995-10-13
Applicant: STMicroelectronics S.r.l.
Inventor： Fabbrizio, Vito , Colli, Gianluca , Kramer, Alan
CPC classification number: G06N3/063 , G06N3/0635
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5.发明授权
公开(公告)号：EP0837399B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：EP96830525.0
申请日：1996-10-15
Applicant: STMicroelectronics S.r.l.
Inventor： Fabbrizio, Vito , Kramer, Alan
IPC: G06F15/80
CPC classification number: G06N3/063
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