公开(公告)号：EP1220228B1

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：EP00830866.0

申请日：2000-12-29

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Pasotti, Marco ,  De Sandre, Guido ,  Guaitini, Giovanni ,  Iezzi, David ,  Poles, Marco ,  Rolandi, PierLuigi

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34 ,  G11C16/28 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C16/34 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28

公开(公告)号：EP1220228A1

公开(公告)日：2002-07-03

申请号：EP00830866.0

申请日：2000-12-29

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Pasotti, Marco ,  De Sandre, Guido ,  Guaitini, Giovanni ,  Iezzi, David ,  Poles, Marco ,  Rolandi, PierLuigi

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34 ,  G11C16/28 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C16/34 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28

Abstract: Described herein is a method for storing a datum in a first and a second memory cells of a nonvolatile memory. The storage method envisages programming the first and second memory cells in a differential way, by setting a first threshold voltage in the first memory cell and a second threshold voltage different from the first threshold voltage in the second memory cell, the difference between the threshold voltages of the two memory cells representing a datum stored in the memory cells themselves.

Abstract translation: 这里描述了一种用于将数据存储在非易失性存储器的第一和第二存储单元中的方法。 存储方法设想通过在第一存储单元中设置第一阈值电压和与第二存储单元中的第一阈值电压不同的第二阈值电压来以差分方式对第一和第二存储单元进行编程，阈值电压 表示存储在存储单元本身中的数据的两个存储器单元。