公开(公告)号：EP2267893B1

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：EP10165137.0

申请日：2010-06-07

Applicant: STmicroelectronics SA ,  Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Inventor： Casset, Fabrice ,  Durand, Cédric

IPC: H03H3/007 ,  H03H9/24

CPC classification number: H03H3/0077 ,  H03H3/0076 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02496

公开(公告)号：EP2267893A1

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：EP10165137.0

申请日：2010-06-07

Applicant: STmicroelectronics SA ,  Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Inventor： Casset, Fabrice ,  Durand, Cédric

IPC: H03H3/007 ,  H03H9/24

CPC classification number: H03H3/0077 ,  H03H3/0076 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02496

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un résonateur comprenant un élément résonant (28), l'élément résonant étant constitué au moins en partie d'un corps constitué au moins en partie d'un premier matériau conducteur, le corps comportant des cavités débouchantes, ce procédé comprenant les étapes suivantes :
mesure de la fréquence du résonateur ; et
remplissage au moins partiel desdites cavités.

Abstract translation: 该方法包括测量谐振器的频率，其中谐振器包括由由导电材料制成的部分形成的主体构成的谐振元件（28）。 身体的腔体部分地填充有形成薄层（50）的填充材料，其中空腔是在谐振元件的厚度的一部分中钻出的。 本体的空腔在谐振元件的表面上开放设置。 填充材料选自硅，锗，硅 - 锗，钌，铱，铂，硒化锌，氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化锌，氮化铪，氮化硅，氮化钛，氮化钽，钨，铌 ，硅氧氮化物和硫化锌。 还包括用于谐振器的独立权利要求，该谐振器包括具有由材料制成的列的主体的谐振元件。

公开(公告)号：EP2323077B1

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：EP10188892.3

申请日：2010-10-26

Applicant: STmicroelectronics SA

Inventor： Pilard, Romain ,  Gloria, Daniel ,  Gianesello, Frédéric ,  Durand, Cédric

IPC: G06K19/077 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K19/07771 ,  H01L23/481 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/014

公开(公告)号：EP2323077A1

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：EP10188892.3

申请日：2010-10-26

Applicant: STmicroelectronics SA

Inventor： Pilard, Romain ,  Gloria, Daniel ,  Gianesello, Frédéric ,  Durand, Cédric

IPC: G06K19/077 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K19/07771 ,  H01L23/481 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/014

Abstract: Dispositif électronique comprenant un composant semiconducteur (2) comprenant un substrat de base (3) en forme de plaquette et, sur un côté de ce substrat, des circuits intégrés comprenant un circuit RF (6) et une antenne (8) reliée à ce circuit RF en vue d'émettre/recevoir des signaux radiofréquence, et comprenant en outre une couche métallique (13) située d'un autre côté du substrat, en vis-à-vis de ladite antenne, et au moins un via métallique (15) ménagé dans un trou traversant du substrat, ce via étant relié d'une part à ladite couche métallique et d'autre part au circuit RF, au même potentiel de référence que ladite antenne.

Abstract translation: 装置（1）具有带有支撑衬底（3）的半导体部件（2），例如， 硅片，以晶片的形式。 集成电路设置在支撑基板的一侧，其中电路具有连接到射频电路（6）的天线（8）。 金属层（13）形成在面向天线的基板的另一侧。 金属通孔（15）设置在基板的通孔中，其中通孔以与天线相同的参考电位连接到金属层和射频电路。

公开(公告)号：EP1905734B1

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：EP07117116.9

申请日：2007-09-25

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  STMicroelectronics SA

Inventor： Casset, Fabrice ,  Durand, Cédric ,  Ancey, Pascal

IPC: B81C1/00 ,  H03H3/007 ,  H03H9/24

CPC classification number: B81C1/0065 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/015 ,  H03H3/0073 ,  H03H9/1057 ,  H03H9/2405 ,  H03H2009/02496

公开(公告)号：EP1905734A1

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：EP07117116.9

申请日：2007-09-25

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  STMicroelectronics SA

Inventor： Casset, Fabrice ,  Durand, Cédric ,  Ancey, Pascal

IPC: B81C1/00 ,  H03H3/007 ,  H03H9/24

CPC classification number: B81C1/0065 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/015 ,  H03H3/0073 ,  H03H9/1057 ,  H03H9/2405 ,  H03H2009/02496

Abstract: Procédé de réalisation d'un composant électromécanique (10) sur un substrat (15) plan et comportant une structure vibrante (22) dans le plan du substrat et des électrodes d'actionnement (23), comportant les étapes de :
- formation du substrat comportant une zone en silicium (16) recouverte en partie par deux zones isolantes (18),
- formation d'une couche sacrificielle en alliage de silicium / germanium par épitaxie sélective à partir de la partie non recouverte de la zone en silicium,
- formation par épitaxie d'une couche (20) en silicium, fortement dopé, comportant une zone monocristalline (20b) disposée sur ladite couche sacrificielle et deux zones polycristallines (20a) disposées sur les zones isolantes,
- formation simultanée de la structure vibrante et des électrodes d'actionnement, par gravure dans la zone monocristalline d'un motif prédéterminé destiné à former des espaces (24) entre les électrodes et la structure vibrante,
- élimination par gravure sélective de ladite couche sacrificielle.

Abstract translation: 该方法包括通过来自平面衬底（15）的上表面的未覆盖部分的选择性外延形成基于锗和硅合金的牺牲层。 通过外延形成在牺牲层上具有单晶区的强掺杂硅层（20）和绝缘区（18）上的多晶区。 通过在单晶区域中雕刻形成激活电极（23）和振动结构（22），并且预设图案在电极和结构之间形成空间。 消除牺牲层。