公开(公告)号：DE112018007179T5

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：DE112018007179

申请日：2018-11-02

Applicant: SUMCO CORP

Inventor： KITAHARA KEN ,  SATO MASARU ,  YOSHIOKA TAKUMA

IPC: C30B15/10 ,  C30B35/00

Abstract: Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Quarzglastiegel, der umfasst: einen zylindrischen Seitenwandabschnitt, einen gekrümmten Bodenabschnitt und einen Eckabschnitt, der zwischen dem Seitenwandabschnitt und dem Bodenabschnitt vorgesehen ist und eine stärkere Krümmung als eine Krümmung des Bodenabschnitts aufweist, bei dem ein erster Bereich, der in einer Dickenrichtung von einer Tiegelinnenfläche bis zu einer Mitte vorgesehen ist, ein zweiter Bereich, der in der Dickenrichtung außerhalb des ersten Bereichs vorgesehen ist und eine andere Spannungsverteilung als der erste Bereich aufweist, und ein dritter Bereich, der in der Dickenrichtung außerhalb des zweiten Bereichs und bis zur Tiegelaußenfläche vorgesehen ist und eine andere Spannungsverteilung als der zweite Bereich aufweist, vorgesehen sind, innere Restspannungen des ersten Bereichs und des dritten Bereichs Druckspannungen sind und eine innere Restspannung des zweiten Bereichs eine Zugspannung umfasst.

公开(公告)号：DE112018003457B4

公开(公告)日：2024-10-17

申请号：DE112018003457

申请日：2018-06-11

Applicant: SUMCO CORP

Inventor： YOSHIOKA TAKUMA ,  OHARA MASAMI

IPC: C30B15/10 ,  C03B20/00 ,  C30B29/06

Abstract: Quarzglastiegel (1), umfassend:einen geraden Körperabschnitt (1a) mit einer Zylinderform;einen Bodenabschnitt (1b), der gekrümmt ist; undeinen Eckabschnitt (1c), der zwischen dem geraden Körperabschnitt (1a) und dem Bodenabschnitt (1b) vorgesehen ist und eine größere Krümmung aufweist als der Bodenabschnitt (1b),wobei ein Blasengehalt eines Innenflächenschichtabschnitts, der von einer Innenfläche (10a) bis zu einer Tiefe von 0,5 mm reicht, in einem oberen Abschnitt (1a1) des geraden Körperabschnitts (1a) 0,2 % oder mehr und 2 % oder weniger beträgt,der Blasengehalt des Innenflächenschichtabschnitts in einem unteren Abschnitt (1a2) des geraden Körperabschnitts (1a) mehr als 0,1 % und nicht mehr als das 1,3fache einer Untergrenze des Blasengehalts des oberen Abschnitts (1a1) des geraden Körperabschnitts (1a) beträgt,der Blasengehalt des Innenflächenschichtabschnitts in dem Eckabschnitt (1c) mehr als 0,1 % und 0,5 % oder weniger beträgt,der Blasengehalt des Innenflächenschichtabschnitts in dem Bodenabschnitt (1b) 0,1 % oder weniger beträgt und der der Gehalt an großen Blasen mit einem Durchmesser von 300 µm bis 500 µm vom Eckabschnitt (1c) zum oberen Abschnitt (1a1) des geraden Körperabschnitts (1a) zunimmt.

公开(公告)号：DE112018003457T5

公开(公告)日：2020-03-19

申请号：DE112018003457

申请日：2018-06-11

Applicant: SUMCO CORP

Inventor： YOSHIOKA TAKUMA ,  OHARA MASAMI

IPC: C30B15/10 ,  C03B20/00 ,  C30B29/06

Abstract: Bereitgestellt wird ein Quarzglastiegel, der imstande ist, sowohl eine Verbesserung der Produktionsausbeute von Silicium-Einkristallen als auch eine Unterdrückung der Erzeugung von Löchern in Einkristallen zu erreichen.Ein Quarzglastiegel 1 umfasst: einen geraden Körperabschnitt 1a mit einer Zylinderform; einen Bodenabschnitt 1b, der gekrümmt ist; und einen Eckabschnitt 1c, der zwischen dem geraden Körperabschnitt 1a und dem Bodenabschnitt 1b vorgesehen ist und in dem ein Blasengehalt eines Innenflächenschichtabschnitts, der von einer Innenfläche bis zu einer Tiefe von 0,5 mm reicht, in einem oberen Abschnitt 1ades geraden Körperabschnitts 1a 0,2 % oder mehr und 2 % oder weniger beträgt, der Blasengehalt des Innenflächenschichtabschnitts in einem unteren Abschnitt 1ades geraden Körperabschnitts 1a mehr als 0,1 % und nicht mehr als das 1,3fache einer Untergrenze des Blasengehalts des oberen Abschnitts 1ades geraden Körperabschnitts 1a beträgt, der Blasengehalt des Innenflächenschichtabschnitts in dem Eckabschnitt 1c mehr als 0,1 % und 0,5 % oder weniger beträgt und der Blasengehalt des Innenflächenschichtabschnitts in dem Bodenabschnitt 1b 0,1 % oder weniger beträgt.

公开(公告)号：SG11201912430UA

公开(公告)日：2020-01-30

申请号：SG11201912430U

申请日：2018-06-11

Applicant: SUMCO CORP

Inventor： YOSHIOKA TAKUMA ,  OHARA MASAMI

IPC: C30B29/06 ,  C03B20/00 ,  C30B15/10

Abstract: In an exemplary embodiment, a quartz glass crucible 1 includes: a straight body portion 1a having a cylindrical shape; a bottom portion 1b; and a corner portion 1c, in which a bubble content of an inner surface layer portion ranging from an inner surface to a depth 0.5 mm in an upper portion 1a1 of the straight body portion 1a is 0.2% to 2%, the bubble content of the inner surface layer portion in a lower portion 1a2 of the straight body portion 1a is more than 0.1% and not more than 1.3 times a lower limit of the bubble content of the upper portion 1a1, the bubble content of the inner surface layer portion in the corner portion 1c is more than 0.1% and 0.5% or less, and the bubble content of the inner surface layer portion in the bottom portion 1b is 0.1% or less.

公开(公告)号：EP2799597A4

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：EP12861985

申请日：2012-10-31

Applicant: SUMCO CORP

Inventor： SUDO TOSHIAKI ,  SATO TADAHIRO ,  KITAHARA KEN ,  YOSHIOKA TAKUMA ,  KISHI HIROSHI

IPC: C30B29/06 ,  C03B19/09 ,  C03B20/00 ,  C30B15/10

CPC classification number: C30B15/10 ,  C03B19/095 ,  C30B11/002 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/1032

Abstract: Buckling of a vitreous silica crucible 12 or inward fall of a sidewall 15 is effectively suppressed. The vitreous silica crucible 12 includes the cylindrical sidewall 15 having an upward-opening rim, a mortar-shaped bottom 16 including a curve, and a round portion 17 connescting the sidewall 15 and the bottom 16. In the vitreous silica crucible 12, the per-unit area thermal resistance in the thickness direction of the sidewall 15 is higher than that of the round portion 17.

公开(公告)号：JP2010163312A

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：JP2009006202

申请日：2009-01-15

Applicant: Japan Siper Quarts Corp ,  Sumco Corp ,  ジャパンスーパークォーツ株式会社 ,  株式会社Sumco

Inventor： YOSHIOKA TAKUMA ,  MORIKAWA MASAKI

IPC: C03B20/00 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/10 ,  C03B19/095 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mold for producing a silica crucible, of which the raw material cost can be reduced by decreasing a portion which has a small external diameter and a small wall thickness and is obliged to be cut and removed. SOLUTION: The mold 1 is used for producing the silica crucible by thermally melting, with an arc, a silica powder attached to the inside wall of the mold 1 just rotating. The mold 1 has such a structure that in the inner side of an upper opening portion thereof corresponding to an upper part of the silica crucible, a cylindrical rim member 7 is engagedly supported through a hook 8. The outer diameter of the rim member 7 is made smaller than the inner diameter of the mold but larger than the inner diameter of the silica crucible. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于生产二氧化硅坩埚的模具，其可以通过减小外径小和壁厚小的部分并且被迫切割和去除部分而降低原材料成本 。 解决方案：模具1用于通过电弧加热熔化二氧化硅坩埚，氧化硅粉末刚刚旋转而附着在模具1的内壁上。 模具1具有这样的结构：在与上述二氧化硅坩埚的上部对应的上部开口部的内侧，通过钩8卡合地支承着圆筒状的轮缘构件7.轮辋构件7的外径为 制成小于模具的内径，但大于二氧化硅坩埚的内径。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2011121843A

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：JP2009282786

申请日：2009-12-14

Applicant: Japan Siper Quarts Corp ,  Sumco Corp ,  ジャパンスーパークォーツ株式会社 ,  株式会社Sumco

Inventor： KANDA MINORU ,  YOSHIOKA TAKUMA ,  KISHI HIROSHI

IPC: C30B29/06 ,  C03B20/00 ,  C30B15/10

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a crucible for pulling single crystal and a method for pulling single crystal in which even when a silicon raw material melt is continuously or intermittently supplied to a quartz crucible and the level height position of the silicon raw material melt is substantially in a constant state in the silicon crucible, the damage of the quartz crucible resulting from erosion of the inner wall can be suppressed.
SOLUTION: The quartz crucible 20 is provided with a side wall reinforcement part 22 composed of a quartz material at a predetermined height position H on the periphery of a side wall, forming a thick side wall part 23 in a part of the side wall. When the silicon single crystal 5 is pulled, the quartz crucible 20 is heated and softened, and the thick side wall part 23 is deformed according to the shape of the inner wall surface 30a of the graphite crucible 30 to thereby partially push out the thick side wall part 23 of the quartz crucible 20 to the inner surface side.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于拉取单晶的坩埚和一种拉制单晶的方法，其中即使将硅原料熔体连续或间歇地供应到石英坩埚中，并且硅原料的高度位置 材料熔体在硅坩埚中基本处于恒定状态，可以抑制由内壁腐蚀引起的石英坩埚的损坏。 解决方案：石英坩埚20在侧壁的周围设置有由在石英材料构成的预定高度位置H的侧壁加强部22，在侧面的一部分中形成厚壁部23 壁。 当拉制硅单晶5时，石英坩埚20被加热软化，厚侧壁部23根据石墨坩埚30的内壁面30a的形状而变形，从而部分地推出厚侧 石英坩埚20的壁部23到内表面侧。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2011121842A

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：JP2009282750

申请日：2009-12-14

Applicant: Japan Siper Quarts Corp ,  Sumco Corp ,  ジャパンスーパークォーツ株式会社 ,  株式会社Sumco

Inventor： KANDA MINORU ,  KISHI HIROSHI ,  YOSHIOKA TAKUMA

IPC: C30B29/06 ,  C03B20/00 ,  C30B15/10

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a crucible for pulling single crystal and a method for pulling single crystal in which even when a silicon raw material melt is continuously or intermittently supplied to a quartz crucible, the damage of the quartz crucible resulting from erosion of the inner wall can be suppressed.
SOLUTION: The quartz crucible 20 is provided with a side wall reinforcement part 22 composed of a quartz material on the periphery of a side wall 21, forming a thick side wall part 23 in a part of the side wall. The height position of the upper end of the side wall reinforcement part 22 is in the range of 60 to 90% of the distance measured from the lower end of the side wall of the quartz crucible 20 to the upper end of the side wall thereof. The height position of the lower end of the side wall reinforcement part 22 is in the range of 5 to 30% of the distance measured from the lower end of the side wall of the quartz crucible 20 to the upper end of the side wall thereof. When the silicon single crystal is pulled, the quartz crucible 20 is heated and softened, and the thick side wall part 23 is deformed according to the shape of the inner wall surface 30a of the graphite crucible 30 to thereby partially push out the thick side wall part 23 of the quartz crucible 20 to the inner surface side.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供用于牵引单晶的坩埚和其中即使将硅原料熔体连续或间歇地供给到石英坩埚中的单晶的方法，由 可以抑制内壁的侵蚀。 解决方案：石英坩埚20在侧壁21的周围设置有由石英材料构成的侧壁加强部22，在侧壁的一部分中形成厚的侧壁部23。 侧壁加强部22的上端的高度位置在从石英坩埚20的侧壁的下端到其侧壁的上端测量的距离的60〜90％的范围内。 侧壁加强部22的下端的高度位置在从石英坩埚20的侧壁的下端到其侧壁的上端测量的距离的5〜30％的范围内。 当拉制硅单晶时，石英坩埚20被加热软化，并且厚侧壁部23根据石墨坩埚30的内壁表面30a的形状而变形，从而部分地推出厚的侧壁 石英坩埚20的部分23到内表面侧。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010184855A

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：JP2009279621

申请日：2009-12-09

Applicant: Japan Siper Quarts Corp ,  Sumco Corp ,  ジャパンスーパークォーツ株式会社 ,  株式会社Sumco

Inventor： YOSHIOKA TAKUMA ,  MORIKAWA MASAKI

IPC: C03B20/00 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/10 ,  C03B19/095

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mold for producing a silica crucible in which a portion, to be necessarily cut/removed by its diameter-reduction and thinning, is reduced, and raw material cost can be reduced.
SOLUTION: In the mold for use in the production of a silica crucible in such a manner that, in a state where silica powder 4 is pasted on the inner wall of a mold which is rotated, heating/melting is performed with an arc, a mold cover 7 corresponding to a small-diameter thinned portion of an upper part of the silica crucible is detachably disposed on a mold substrate 8 corresponding to a body of the silica crucible, and the mold cover 7 has a barrier function against arc heating, and an inner diameter of the mold cover 7 is smaller than that of the mold substrate 8 but larger than that of the silica crucible.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于生产二氧化硅坩埚的模具，其中通过其直径减小和变薄而必须切割/除去的部分被减少，并且可以降低原材料成本。 解决方案：在用于生产二氧化硅坩埚的模具中，使得在将二氧化硅粉末4粘贴在旋转的模具的内壁上的状态下，加热/熔化以 对应于二氧化硅坩埚上部的小直径变薄部分的模具盖7可拆卸地设置在对应于石英坩埚主体的模具基板8上，并且模具盖7具有抵抗电弧的屏障功能 加热，模具盖7的内径小于模具基板8的内径，但是大于二氧化硅坩埚的内径。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT