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公开(公告)号:CN1327029C
公开(公告)日:2007-07-18
申请号:CN03805434.5
申请日:2003-03-07
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L21/68785 , C23C14/50 , C23C14/541 , G11B7/26 , G11B17/022
Abstract: 本发明提供一种对即使是在中央部位没有贯通孔的圆盘状元件也可进行良好的定位保持的圆盘状元件保持装置。在基板(1)上设置接合部(1B),在基板保持侧的贴合部(11)设置接合部(11B)。通过这些接合部将基板(1)保持在保持装置(10)上。通过机械卡盘(15)来保持基板(1)的外周边部。使基板(1)在变形成一凹面形状的状态下被保持。如此,即使是对在中央部位没有贯通孔的基板(1)也可以进行良好的定位保持,可以提高通过溅射处理形成的薄膜质量的均匀化程度。还可以提高贴合面(1A)与贴合面(11A)的紧贴程度,从而可以提高在溅射处理时对基板(1)的冷却效率。
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公开(公告)号:CN1646723A
公开(公告)日:2005-07-27
申请号:CN03807718.3
申请日:2003-04-01
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C23C14/042 , G11B7/266 , G11B11/10582
Abstract: 在一种溅射装置中,一覆盖基片的中心部分的内掩模由一支承件支承,该支承件设置在一靶的后表面上的一垫板上,并且该内掩模通过一弹簧以一预定负荷紧靠该基片。通过这种结构,当进行薄膜的沉积时,该紧靠基片的内掩模可与该基片一起旋转,并且能可靠地形成该基片的中心部分的无膜形成区域,并改善膜形成区域中的薄膜厚度等。
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公开(公告)号:CN1647180A
公开(公告)日:2005-07-27
申请号:CN03807717.5
申请日:2003-04-01
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/50 , G11B7/266
Abstract: 本发明提供一种基片传递方法,其包括在空气中保持没有中心孔的盘形基片或类似物,并将该基片容易地传递给溅射装置的步骤。在该盘形基片的每个表面的中心区域内形成一突起部,并且该基片通过基片固定装置与一掩模形成一个整体并被输送。此外,在传递机构中,通过用磁力保持该掩模和用一基片保持装置夹紧位于基片前表面上的突起部而保持该基片和掩模。在要将基片传递至其上的基片托架中,同时用磁力保持掩模和夹持位于基片后表面上的突起部,并且在传递期间,基本上同时减少传递机构中的磁力和释放对该突起部的夹紧。
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公开(公告)号:CN1646724A
公开(公告)日:2005-07-27
申请号:CN03807866.X
申请日:2003-04-01
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , C23C14/56 , G11B7/265 , G11B7/266 , G11B11/10582
Abstract: 本发明提供一种接收来自基片交换头部的与运载器在一起的已涂敷薄膜基片基片交换单元,该基片交换头部接收来自薄膜形成装置的基片和运载器,基片在基片交换头部和待安置有基片的工位台之间被传送;在保持运载器时,仅将基片传送至工位台并在保持该运载器时,冷却运载器;然后,由保持的运载器接收安置在工位台上的未涂敷基片;并且由基板交换头部将基片和运载器传送至薄膜形成装置。该结构可防止正在涂敷薄膜的基片的温度上升,从而控制了采用运载器夹持基片的薄膜形成过程中的运载器的温度。
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公开(公告)号:CN1639382A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN03805434.5
申请日:2003-03-07
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L21/68785 , C23C14/50 , C23C14/541 , G11B7/26 , G11B17/022
Abstract: 本发明提供一种对即使是在中央部位没有贯通孔的圆盘状元件也可进行良好的定位保持的圆盘状元件保持装置。在基板(1)上设置接合部(1B),在基板保持侧的贴合部(11)设置接合部(11B)。通过这些接合部将基板(1)保持在保持装置(10)上。通过机械卡盘(15)来保持基板(1)的外周边部。使基板(1)在变形成一凹面形状的状态下被保持。如此,即使是对在中央部位没有贯通孔的基板(1)也可以进行良好的定位保持,可以提高通过溅射处理形成的薄膜质量的均匀化程度。还可以提高贴合面(1A)与贴合面(11A)的紧贴程度,从而可以提高在溅射处理时对基板(1)的冷却效率。
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