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    PROCEDE DE FABRICATION DE NANOFILAMENTS A CONTACT ELECTRIQUE RENFORCE
    1.
    发明申请
    PROCEDE DE FABRICATION DE NANOFILAMENTS A CONTACT ELECTRIQUE RENFORCE 审中-公开
    用强化电触点生产纳米薄膜的方法

    公开(公告)号：WO2006008228A1

    公开(公告)日：2006-01-26

    申请号：PCT/EP2005/053114

    申请日：2005-06-30

    Applicant: THALES ,  GANGLOFF, Laurent ,  MINOUX, Eric ,  LEGAGNEUX, Pierre ,  SCHNELL, Jean-Philippe

    Inventor： GANGLOFF, Laurent ,  MINOUX, Eric ,  LEGAGNEUX, Pierre ,  SCHNELL, Jean-Philippe

    IPC: B82B3/00

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01J9/025 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un ensemble de nanofilaments (Nt) à la surface d'un substrat (C) comprenant le renforcement du contact électrique desdits nanofilaments caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes suivantes : la réalisation d'au moins une couche de matériau conducteur (C1) discontinue à la surface du substrat comprenant des ouvertures destinées à la croissance des nanofilaments, la croissance d'un ensemble de nanofilaments dans certaines de ces ouvertures, la fusion du matériau conducteur pour contacter une des extrémités d'au moins un sous-ensemble de nanofilaments avec ladite couche de matériau conducteur. Ce procédé permet un renforcement de contact électrique, thermique et mécanique. Applications : Microélectronique état solide et nanoélectronique sous vide.

    Abstract translation: 本发明涉及一种在基材（C）的表面上生产一组纳米丝（Nt）的方法，其包括加强所述纳米丝的电接触，其特征在于还包括以下步骤：至少制备 在衬底表面上的一层不连续导电材料（C1），包括用于生长纳米丝的开口，在一些所述开口中生长一组纳米丝，用于连接至少一个子层的端部的导电材料 将纳米丝固定在导电材料上。 上述方法允许加强电，热和机械接触，并且适用于真空固态微电子学和纳米电子学。

    RÉACTEUR DE FABRICATION DE NANOSTRUCTURES PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
    2.
    发明申请
    RÉACTEUR DE FABRICATION DE NANOSTRUCTURES PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR 审中-公开
    用化学气相沉积法制造纳米结构的反应器

    公开(公告)号：WO2017216290A1

    公开(公告)日：2017-12-21

    申请号：PCT/EP2017/064668

    申请日：2017-06-15

    Applicant: THALES ,  ECOLE POLYTECHNIQUE ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE ,  UNIVERSITÉ CLAUDE BERNARD LYON 1

    Inventor： LEGAGNEUX, Pierre ,  MAZELLIER, Jean-Paul ,  GANGLOFF, Laurent ,  PURCELL, Stephen ,  COJOCARU, Costel-Sorin

    IPC: C23C16/04 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: C23C16/04 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45591

    Abstract: Il est proposé un réacteur (10) de fabrication de nanostructures (15) sur un substrat (20) par dépôt chimique en phase vapeur, le réacteur (10) comportant : - une enceinte (35) délimitant une chambre (65), - un organe d'injection (40) propre à injecter au moins un gaz (G) dans la chambre (65), - une électrode (50) agencée pour être traversée par un premier flux (F1) du gaz circulant depuis l'organe d'injection (40) jusqu'au substrat (20), l'électrode (50) présentant une première face (75) et une deuxième face (80) en regard du substrat (20), l'électrode (50) délimitant une pluralité d'ouvertures (85) traversant l'électrode (50), chaque ouverture (85) présentant un diamètre inférieur ou égal à une distance (d) entre le substrat (20) et la deuxième face (80), et - un générateur (55) propre à imposer un champ électrique entre l'électrode (50) et le substrat (20).

    Abstract translation:

    建议＆oacute; 在化学气相基底（20）上的纳米结构制造反应器（10），所述反应器（10）包括： - 外壳（35），其限制 腔室（65）， - 清洁的注射构件（40）; 将至少一种气体（G）注入所述腔室（65）中， - 电极（50），所述电极（50）布置成被从所述注入构件流动的所述气体的第一流（F1）穿过 （20），所述电极（50）具有与所述衬底（20）相对的第一面（75）和第二面（80），所述衬底（20） 所述电极（50）限制多个电极; 穿过电极（50）的开口（85），每个开口（85）具有小于或等于的直径 基底（20）和第二面（80）之间的距离（d），以及清洁发生器（55）; 在电极（50）和基板（20）之间施加电场。

    SOURCE D'ELECTRONS DE HAUTE ENERGIE A BASE DE CNT AVEC ELEMENT DE COMMANDE PAR ONDE ELECTROMAGNETIQUE DEPORTEE
    5.
    发明申请
    SOURCE D'ELECTRONS DE HAUTE ENERGIE A BASE DE CNT AVEC ELEMENT DE COMMANDE PAR ONDE ELECTROMAGNETIQUE DEPORTEE 审中-公开
    来自CNT的高能电子源与偏置电磁波控制元件

    公开(公告)号：WO2016102575A1

    公开(公告)日：2016-06-30

    申请号：PCT/EP2015/080990

    申请日：2015-12-22

    Applicant: THALES

    Inventor： MAZELLIER, Jean-Paul ,  LEGAGNEUX, Pierre ,  GANGLOFF, Laurent ,  ANDRIANIAZY, Florian ,  PONARD, Pascal

    IPC: H01J1/304 ,  H01J35/06

    CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J35/065 ,  H01J2235/062 ,  H01J2235/068

    Abstract: Source d'électrons commutable de haute énergie commandée par une source de courant (SCCO) dans laquelle: • La cathode commutable comprend au moins un émetteur à effet de champ (105) et une électrode d'écrantage (111) localisée dans ou sous un plan P comprenant la surface conductrice située sous le pied de l'émetteur (105), • une borne d'entrée (132) de la SCCO (120) disposée en dehors de l'enceinte à vide est reliée à l'alimentation HT et à l'électrode d'écrantage (111), • Une borne de sortie (131 ) de la SCCO est reliée à l'électrode de base entre l'émetteur (105) et le substrat. • L'alimentation haute tension (103) délivre un potentiel pour créer un champ d'anode pour induire l'émission depuis l'émetteur (105), • Le potential de sortie (131) étant supérieur ou égal au potentiel d'entrée (132), l'électrode d'écrantage (111) est adaptée à diminuer le champ électrique induit par l'anode (106) sur l'émetteur (105) pour que le courant émis par l'émetteur soit égal au courant délivré par la SCCO.

    Abstract translation: 由电流源（SCCO）控制的高能可切换电子源，其中：•可切换阴极包括至少一个场效应发射器（105）和位于平面P内或下的一个屏蔽电极（111），包括导电 位于发射器（105）的脚下的表面;·设置在真空室外部的SCCO（120）的输入端子（132）连接到HV电源和屏蔽电极（111）;·输出端子 所述SCCO的所述基极（131）与所述发射器（105）和所述基板之间的所述基极连接。 •高压电源（103）提供用于产生用于从发射器（105）传输的阳极场的潜力，•输出电位（131）大于或等于输入电位（132），筛选 电极（111）能够减少由发射机（105）上的阳极（106）感应的电场，使得由发射机发射的电流等于由SCCO发射的电流。

    CATHODE A EMISSION DE CHAMP, A COMMANDE OPTIQUE
    6.
    发明申请
    CATHODE A EMISSION DE CHAMP, A COMMANDE OPTIQUE 审中-公开
    光控场发射阴极

    公开(公告)号：WO2006063982A1

    公开(公告)日：2006-06-22

    申请号：PCT/EP2005/056701

    申请日：2005-12-12

    Applicant: THALES ,  LEGAGNEUX, Pierre ,  GANGLOFF, Laurent ,  MINOUX, Eric ,  SCHNELL, Jean-Philippe ,  ANDRE, Frédéric ,  DIEUMEGARD, Dominique

    Inventor： LEGAGNEUX, Pierre ,  GANGLOFF, Laurent ,  MINOUX, Eric ,  SCHNELL, Jean-Philippe ,  ANDRE, Frédéric ,  DIEUMEGARD, Dominique

    IPC: H01J1/34 ,  H01J1/304 ,  H01J23/04

    CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/34 ,  H01J23/04 ,  H01J2201/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2223/04

    Abstract: L'invention concerne une cathode à émission de champ à commande optique, comprenant un substrat (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100) muni d'au moins une surface conductrice ( 11, 21, 31, 41, 51, 61, 71, 81, 91, 101) et au moins un élément émetteur conducteur (16, 26, 36, 46, 56, 66, 76, 86, 96, 106) à proximité d'une surface conductrice, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre au moins un élément photoconducteur (13, 23, 33, 43, 53, 63, 73, 83, 93, 103) électriquement connecté en série entre au moins un élément émetteur et une surface conductrice du substrat. L'invention a aussi pour objet un tube amplificateur comprenant une telle cathode. Application : Tubes à vide notamment pour l'amplification hyperfréquence, en vue par exemple d'applications aux télécommunications.

    Abstract translation: 本发明涉及一种光学控制的场致发射阴极，其包括设置有至少一个导电表面（11,21,31,41,41）的衬底（10,20,30,40,50,60,70,80,90,100） 51,61,71,81,91,101）和布置在导电表面附近的至少一个导电发射体元件（16,26,36,46,66,66,76,86,96,106），其中本发明的阴极 其特征在于，它还包括电串联连接在至少一个发射元件和衬底的导电表面之间的至少一个光电导元件（13,23,33,43,53,63,73,83,93,103） 。 还公开了具有本发明阴极的放大管。 所述发明特别用于电信应用中的微波放大。

    DISPOSITIF A EFFET DE CHAMP COMPRENANT UN DISPOSITIF SATURATEUR DE COURANT
    7.
    发明申请
    DISPOSITIF A EFFET DE CHAMP COMPRENANT UN DISPOSITIF SATURATEUR DE COURANT 审中-公开
    包含电流饱和器件的场效应器件

    公开(公告)号：WO2006063967A1

    公开(公告)日：2006-06-22

    申请号：PCT/EP2005/056646

    申请日：2005-12-09

    Applicant: THALES ,  MINOUX, Eric ,  SCHNELL, Jean-Philippe ,  LEGAGNEUX, Pierre ,  GANGLOFF, Laurent ,  GRONING, Oliver

    Inventor： MINOUX, Eric ,  SCHNELL, Jean-Philippe ,  LEGAGNEUX, Pierre ,  GANGLOFF, Laurent ,  GRONING, Oliver

    IPC: H01J9/24 ,  H01J23/04 ,  H01J1/304

    CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J19/24

    Abstract: L'invention concerne un dispositif à effet de champ comportant au moins un élément émetteur de courant (11) en série avec un dispositif saturateur de courant, à saturation de vitesse de porteurs de charge (12). La présente invention permet de résoudre le problème de courants trop élevés sur un émetteur ou le problème d'homogénéisation au sein d'un ensemble d'émetteurs à la surface d'un substrat. Application : Cathodes froides à émission de champ pour applications à l'électronique sous vide : sources d'électrons pour l'instrumentation, tubes à rayons X, écrans plats, amplificateurs hyperfréquences, en vue par exemple d'applications aux télécommunications.

    Abstract translation: 本发明涉及一种场效应器件，其包括与电流饱和器件串联的至少一个电流发射元件，电流载流子（12）的速度饱和。 本发明有助于解决发射机上过大电流的问题或在基片表面上的一组发射机内的均匀化问题。 本发明适用于真空应用的场发射冷阴极; 用于仪器的电子源，X射线管，平板显示器，微波放大器，例如用于电信领域。

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