Abstract:
PURPOSE: By forming the MgO film into the pass phase deposition on the deposition objects it compares the edge portion of the forefront 1 side and right angle of the deposition objects 2 side to the center of 2 side area and the depositing method, the panel manufacture apparatus, and the annealing device are annealing-processed to the high temperature. CONSTITUTION: A substrate(10) is carried 1 side to the front among the vacuum atmosphere. It is met with the evaporation source in which substrate emits the steam vapor of the plasma display protective film. The MgO film is formed in the surface of substrate by reaching the steam vapor of the protective film. Sides have the crystal orientation intensity lowing in comparison with center between both sides as if the front and right angle of substrate.
Abstract:
A vacuum processing apparatus includes: a plurality of carriers to be mounted with a base member; a circulation path which is kept in a controlled atmosphere and through which the carriers circulate; a plurality of base member loading and unloading chambers which are disposed in the circulation path and which load and unload the base member to and from the carriers; and a plurality of vacuum processing chambers which are disposed between the base member loading and unloading chambers in the circulation path for performing a vacuum process on the base member.
Abstract:
Even when a gate valve for a vacuum apparatus used in a vapor deposition apparatus is in an open position, reliability of keeping a vapor deposition chamber vacuum can be improved by protecting an inner wall surface of a valve casing and a sealing member of a valve body against a vapor of a vapor deposition material. A gate valve (1) for a vacuum apparatus (50) is used as a gate valve for an electron gun (52). When the valve is in a closed position, as with the related art technique, a valve body (3) detaches an electron gun (52) part from a vapor deposition chamber (51). On the other hand, when the valve is in an open position, a valve chamber (15) is separated from the vapor deposition chamber (51) by inserting a cylindrical movable shield (22) into the valve chamber (15) to prevent the inner wall surface of a valve casing (2) and a sealing member (5,6,7) of the valve body (3) from being exposed to vapor in the vapor deposition chamber (51), with the result that they are protected against the deposition of a deposition material (MgO) (81).
Abstract:
Dampfabscheidungsvorrichtung (50), umfassend:eine Abscheidungskammer (51);einen Elektronenstrahlerzeuger (52); undein Absperrventil (1) zum Trennen der Abscheidungskammer (51) und des Elektronenstrahlerzeugers (52), wobei das Absperrventil (1) enthält:ein Ventilgehäuse (2) mit einer ersten Seitenwand (2a), die auf der Seite des Elektronenstrahlerzeugers (52) angeordnet ist, und einer zweiten Seitenwand (2b), die auf der Seite der Abscheidungskammer (51) angeordnet ist, wobei die erste Seitenwand (2a) eine erste Öffnung (4a) aufweist für das Hindurchtreten eines von dem Elektronenstrahlerzeuger (52) erzeugten Elektronenstrahls, wobei die zweite Seitenwand (2b) der ersten Seitenwand (2a) gegenüber steht und eine zweite Öffnung (4b) aufweist für das Hindurchtreten des Elektronenstrahls;einen Ventilkörper (3) zum Öffnen/Schließen der ersten Öffnung (4a) und der zweiten Öffnung (4b), wobei der Ventilkörper (3) im Ventilgehäuse (2) vorgesehen ist;ein erstes Aufnahmeelement (56), das auf der Seite der ersten Öffnung (4a) des Ventilgehäuses (2) vorgesehen ist;ein zweites Aufnahmeelement (21), das auf der Seite der zweiten Öffnung (4b) am Ventilgehäuse (2) vorgesehen ist;eine zylindrische bewegliche Abschirmung (22), die von der zweiten Öffnung (4b) in das Ventilgehäuse (2) eingeführt oder einführbar ist, wobei die zylindrische bewegliche Abschirmung (22) einen ersten einwärts ausgebildeten Flansch an einem ersten Endbereich auf der Seite der ersten Öffnung (4a) aufweist, und einen zweiten auswärts ausgebildeten Flansch an einem zweiten Endabschnitt auf der Seite der zweiten Öffnung (4b) aufweist, wobei der erste Flansch dazu eingerichtet ist, mit dem ersten Aufnahmeelement (56) in Kontakt zu kommen und der zweite Flansch dazu eingerichtet ist, mit dem zweiten Aufnahmeelement (21) in Kontakt zu kommen; undeine Antriebseinrichtung (23) zum Hin- und Herbewegen der beweglichen Abschirmung (22) in Richtung des Hindurchtretens durch die zweite Öffnung (4b), wobei die Antriebseinrichtung (23) dazu eingerichtet ist, die zylindrische Abschirmung (22) in eine Stellung zu bewegen, in welcher der erste Flansch in Kontakt mit dem ersten Aufnahmeelement (56) steht und der zweite Flansch in Kontakt mit dem zweiten Aufnahmeelement (21) steht, wenn das Ventilgehäuse (2) geöffnet ist.
Abstract:
Vakuumbearbeitungsvorrichtung, enthaltend: mehrere Träger, auf denen ein Substrat montierbar ist; eine Zirkulationsbahn (1), die angepasst ist, unter einer Atmosphäre reiner trockener Luft gehalten zu werden, und durch die die Träger umlaufen; eine erste und eine zweite Transportkammer (12, 22), die in der Zirkulationsbahn (1) angeordnet sind, und die die Träger transportieren; erste und zweite Lade- und Entladekammern (10, 20), die mit der Zirkulationsbahn (1) verbunden sind, und die das Substrat auf die Träger laden und von diesen entladen; und erste und zweite Vakuumbearbeitungskammern (15, 25), die zwischen der ersten und zweiten Lade- und Entladekammer (10, 20) in der Zirkulationsbahn (1) angeordnet sind, um jeweils einen Vakuumprozess an dem Substrat auszuführen, wobei die erste Lade- und Entladekammer (10) mit der ersten Transportkammer (12) verbunden ist und mit der Zirkulationsbahn (1) an einer äußeren Seite der Zirkulationsbahn (1) verbunden ist; die zweite Lade- und Entladekammer (20) mit der zweiten Transportkammer (22) verbunden ist und mit der Zirkulationsbahn (1) an einer äußeren Seite der Zirkulationsbahn (1) verbunden ist; die erste Transportkammer (12) an einer stromabwärts liegenden Seite der zweiten Vakuumbearbeitungskammer (25) und an einer stromaufwärts liegenden Seite der ersten Vakuumbearbeitungskammer (15) angeordnet ist; die zweite Transportkammer (22) an einer stromabwärts liegenden Seite der ersten Vakuumbearbeitungskammer (15) und an einer stromaufwärts liegenden Seite der zweiten Vakuumbearbeitungskammer (25) angeordnet ist; und die Vakuumbearbeitungsvorrichtung angepasst ist, Partialdrücke von Feuchtigkeit und Kohlenstoffdioxid in der Atmosphäre reiner trockener Luft zu kontrollieren.
Abstract:
[Object] To provide a vacuum processing apparatus capable of suppressing the diffusion of an electron beam even in a high vacuum region, preventing an evaporation rate from being reduced, and performing stable film formation. [Solving Means] A vacuum processing apparatus (vapor deposition apparatus) (1) includes a vacuum vapor deposition chamber (50), an electron gun (20), and an electron beam focusing mechanism (150). The vacuum vapor deposition chamber (50) is provided with an evaporation source that houses an evaporation material (31), and a member to be processed (10) obtained by heating the evaporation material (31) to be vapor-deposited as a vapor-deposited film. The electron gun is arranged adjacently to the vacuum vapor deposition chamber (50) and emits an electron beam to heat the evaporation material (31). The electron beam focusing mechanism (150) is provided within the vacuum vapor deposition chamber (50) and focuses the electron beam emitted from the electron gun 20.