Vorrichtung zur Ansteuerung von Halbleiter-Leistungsschaltern im Hochvoltbereich

    公开(公告)号:DE102019111996B3

    公开(公告)日:2020-07-09

    申请号:DE102019111996

    申请日:2019-05-08

    Applicant: WEBASTO SE

    Abstract: Die Erfindung schafft eine Vorrichtung zur Ansteuerung mehrerer Halbleiter-Leistungsschalter (S12, S21) mittels Treiberspannungen zum getakteten Betreiben mehrerer Lasten (Lats1, Last2) im Hochvoltbereich, wobei die Treiberspannungen (Uh, Uh) über einen Transformator bereitstellbar sind. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Treiberspannungen (Uh, Uh) für die Halbleiter-Leistungsschalter von einer einzigen Sekundärwicklung des Transformators abgeleitet sind, wobei elektronische Spannungspegelumsetzer-Schaltungen vorgesehen sind, um die Treiberspannungen (Uh, Uh) in der benötigten Höhe aus der Sekundärwicklung des Transformators zu gewinnen.

    Anordnung zum Schalten eines Widerstandes

    公开(公告)号:DE102016108005A1

    公开(公告)日:2017-11-02

    申请号:DE102016108005

    申请日:2016-04-29

    Applicant: WEBASTO SE

    Abstract: Anordnung, umfassend einen wärmeabgebenden ersten Widerstand (R1 bis R4), eine Steuerungsvorrichtung zum Schalten des ersten Widerstandes (R1 bis R4) sowie ein geerdetes Bauteil, insbesondere Gehäuse (10), wobei der erste Widerstand (R1 bis R4) in räumlicher Nähe zu dem geerdeten Bauteil, insbesondere Gehäuse (10), angeordnet ist und einen ersten und einen zweiten Anschluss aufweist, wobei die Steuerungsvorrichtung eine erste Schaltvorrichtung (M1) und eine zweite Schaltvorrichtung (M2) umfasst, wobei erste Schaltvorrichtung (M1), erster Widerstand (R1 bis R4) und zweite Schaltvorrichtung (M2) in der genannten Reihenfolge in Reihe geschaltet sind und somit eine Reihenschaltung ausbilden, wobei eine Kompensationseinrichtung (20) vorgesehen und konfiguriert ist, so dass im Ein-Zustand des ersten Widerstandes (R1 bis R4) zwischen dem ersten und dem zweiten Anschluss eine Spannung anliegt, so dass der erste Anschluss auf einem ersten Potential liegt und der zweite Anschluss auf einem zweiten Potential liegt, wobei der Widerstand (R1 bis R4) im Aus-Zustand auf einem Zwischenpotential, das zwischen dem ersten und dem zweiten Potential liegt, gehalten wird, insbesondere auf, zumindest ungefähr, halber Versorgungsspannung gehalten wird.

    Schaltervorrichtung und elektrische Heizvorrichtung umfassend die Schaltervorrichtung

    公开(公告)号:DE102023207285A1

    公开(公告)日:2025-02-06

    申请号:DE102023207285

    申请日:2023-07-31

    Applicant: WEBASTO SE

    Abstract: Eine Schaltervorrichtung (10) umfasst einen Leistungstransistor (50, 52) mit einem Gate-Anschluss (G1, G2), einem Kollektor- oder Drain-Anschluss (K1, K2) und einem Emitter- oder Source-Anschluss (E1, E2), eine Spannungsquelle (34, 36), die eingerichtet ist, einen Übergang zwischen dem Gate-Anschluss (G1, G2) sowie den Emitter- oder Source-Anschluss (E1, E2) mit einer Versorgungsspannung zu versorgen, eine Vorrichtung (22, 26) zum Messen einer Spannung, die sich abhängig von einem Zustand des Leistungstransistors (50, 52) zwischen dem Gate-Anschluss (G1, G2) einstellt, oder zum Messen eines von dem Zustand des Leistungstransistors (50, 52) abhängigen Gate-Stroms durch den Gate-Anschluss (G1, G2), wobei die Vorrichtung (22, 26) zum Messen einer Spannung oder zum Messen eines Gate-Stroms ein entsprechendes Messsignal (70, 71) an eine Steuereinheit (12) ausgibt, und die Steuereinheit (12), welche eingerichtet ist, das Messsignal (70, 71) mit einer Referenz (72) zu vergleichen und abhängig von dem Vergleichsergebnis wenigstens ein Statussignal (75) auszugeben. Das Statussignal (75) zeigt an, dass auf einer Strecke zwischen dem Kollektor- oder Drain-Anschluss (K1, K2) und dem Emitter- oder Source-Anschluss (E1, E2) ein Kurzschluss vorliegt. Die Vorrichtung (22, 26) ist eingerichtet, die Messung der Spannung oder des Gate-Stroms durchzuführen und/oder das der gemessenen Spannung oder dem gemessenen Gate-Strom entsprechende Messsignal (70, 71) zu erzeugen, ohne dass eine Hochvolt-Spannung zwischen dem Kollektor- oder Drain-Anschluss (K1, K2) und dem Emitter- oder Source-Anschluss (E1, E2) angelegt ist.

    Elektrische Heizung
    5.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102023207264A1

    公开(公告)日:2025-01-30

    申请号:DE102023207264

    申请日:2023-07-28

    Applicant: WEBASTO SE

    Abstract: Eine elektrische Heizung (100) umfasst: einen ein Spannungspotential (HV+) führenden ersten Anschluss sowie einen ein Bezugspotential (HV-) führenden zweiten Anschluss; und eine Anzahl von wenigstens zwei Strängen (10, 20, 30), die parallel zueinander zwischen den ersten Anschluss und den zweiten Anschluss geschaltet sind. In jedem der Stränge (10, 20, 30) ist wenigstens ein Heizwiderstand (R1, R2, R3) eingerichtet, und in jedem der Stränge (10, 20, 30) sind zwischen dem Heizwiderstand (R1, R2, R3) und dem ersten Anschluss (HV+) eine hochseitige Schalteinrichtung (S1, S2, S3) sowie zwischen dem Heizwiderstand (R1, R2, R3) und dem zweiten Anschluss (HV-) einer niederseitige Schalteinrichtung (S4, S5, S6) angeordnet. In einem ersten der Stränge (10, 20, 30) ist zwischen der hochseitigen Schalteinrichtung (S1, S2, S3) und der niederseitigen Schalteinrichtung (S4, S5, S6) ein erster Knoten (N4, N5, N6) eingerichtet, und in einem zweiten der Stränge (10, 20, 30) ist zwischen der hochseitigen Schalteinrichtung (S1, S2, S3) und der niederseitigen Schalteinrichtung (S4, S5, S6) ein mit dem ersten Knoten (N4, N5, N6) elektrisch verbundener zweiter Knoten (N1, N2, N3) eingerichtet. Die entsprechenden Heizwiderstände (R1, R2, R3) können durch die Schalteinrichtungen (S1 - S6) des ersten Strangs und des zweiten Strangs wahlweise seriell über die verbundenen Knoten (N1 - N6) oder jeweils einzeln zwischen das Spannungs- und das Bezugspotential geschaltet werden.

    Anordnung zum Schalten eines Widerstands

    公开(公告)号:DE102017114714A1

    公开(公告)日:2019-01-03

    申请号:DE102017114714

    申请日:2017-06-30

    Applicant: WEBASTO SE

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Anordnung, umfassend einen wärmeabgebenden Widerstand (R1 bis R4), eine Steuerungsvorrichtung zum Schalten des Widerstandes (R1 bis R4) sowie ein, insbesondere geerdetes, Bauteil, das auf einem Potential ohne direkten Bezug zu einer Ansteuerspannung, insbesondere ein Gehäuse oder Chassisbauteil (10), liegt,wobei der Widerstand (R1 bis R4) in räumlicher Nähe zu dem Bauteil, insbesondere Gehäuse (10), angeordnet ist und einen ersten (R1, R2) und einen zweiten (R3, R4) Teil-Widerstand, die zueinander in Reihe geschaltet sind, aufweist,wobei die Steuerungsvorrichtung mindestens eine Schaltvorrichtung (M1) zur Schaltung des wärmeabgebenden Widerstandes umfasst,wobei der erste Teil-Widerstand (R1, R2), die Schaltvorrichtung (M1) und der zweite Teil-Widerstand (R3, R4) in der genannten Reihenfolge in Reihe geschaltet sind und somit eine Reihenschaltung ausbilden,wobei der erste Teil-Widerstand (R1, R2) und das Bauteil eine erste Teil-Kapazität ausbilden und der zweite Widerstand (R3, R4) und das Bauteil eine zweite Teil-Kapazität ausbilden, wobei die Teil-Kapazitäten derart ausgebildet sind, dass beim Schalten des Widerstandes ein in der ersten Teil-Kapazität fließender Strom zumindest teilweise durch die zweite Teil-Kapazität aufgenommen wird oder umgekehrt.

    Schirmschicht, System und Verfahren zur Entkopplung eines Heizleiters von einem Chassis

    公开(公告)号:DE102019124316B4

    公开(公告)日:2024-10-17

    申请号:DE102019124316

    申请日:2019-09-10

    Applicant: WEBASTO SE

    Abstract: Schirmschicht (1) zur Entkopplung, insbesondere zur elektromagnetischen Entkopplung, eines Heizleiters (2) eines Heizelements von einem Chassis (3), wobei die Schirmschicht (1) eine metallische Schicht aufweist und elektrisch isoliert zwischen dem Chassis (3) und dem Heizleiter (2) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht der Schirmschicht (1) niederimpedant, insbesondere durch eine DC-Kopplung, mit einem positiven (UHV+) oder negativen (UHV-) Potential verbunden ist, so dass durch parasitäre Kapazitäten (CL1, CL2, CLn) bedingte kapazitiven Umladeströme IHFnicht auf oder über das Chassis (3) geleitet, sondern in die Schirmschicht (1) eingekoppelt und nachfolgend durch das positive Potential (UHV+) bzw. das negative Potential (UHV-) abgeleitet werden.

    Verfahren zum Verbinden eines Schaltelements einer Hochvoltheizer-Vorrichtung mit einem Heizelement der Hochvoltheizer-Vorrichtung sowie Hochvoltheizer-Vorrichtung

    公开(公告)号:DE102020100780A1

    公开(公告)日:2021-07-15

    申请号:DE102020100780

    申请日:2020-01-15

    Applicant: WEBASTO SE

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verbinden eines Schaltelements (3) einer Hochvoltheizer-Vorrichtung (1) mit einem Heizelement (2) der Hochvoltheizer-Vorrichtung (1) für Plug-In-Hybridfahrzeuge und/oder für Elektrofahrzeuge und/oder für brennstoffbetriebe Fahrzeuge aufweisend nachfolgende Schritte:- Aufbringen eines elektrisch leitenden Verbindungsstoffes (4) auf einem flächigen Teilabschnitt (5) eines ersten Teilelements (2) einer Hochvoltheizer-Vorrichtung (1), und- Positionieren eines flächigen Teilabschnitts (6) eines zweiten Teilelements (3) der Hochvoltheizer-Vorrichtung (1) auf dem aufgebrachten Verbindungsstoff (4) zur elektrischen Verbindung der beiden Teilelemente (2, 3) miteinander,- wobei beim Schritt des Aufbringens der Verbindungsstoff (4) in Form eines elektrisch leitfähigen Klebstoffes oder einer elektrisch leitfähigen Paste als zusammenhängendes Volumen aufgetragen wird.Ferner betrifft die Erfindung eine Hochvoltheizer-Vorrichtung (1) für Plug-In-Hybridfahrzeuge und/oder für Elektrofahrzeuge und/oder für brennstoffbetriebe Fahrzeuge aufweisend:- ein elektrisch leitendes Heizelement (2) mit einem flächigen Teilabschnitt (5),- ein elektrisch leitendes Schaltelement (3), insbesondere eine Platine mit mindestens einem IGBT oder eine Leistungselektronik, mit einem flächigen Teilabschnitt (6), und- einen elektrisch leitenden Verbindungsstoff (4), der die beiden flächigen Teilabschnitte (5, 6) elektrisch leitend miteinander verbindet,- wobei der elektrisch leitende Verbindungsstoff (4) als elektrisch leitfähiger Klebstoff oder als elektrisch leitfähige Paste ausgebildet ist.

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